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        意法半導(dǎo)體推出新款超低功耗STM32微控制器

        —— 同級最高的閃存容量,最大容量高達(dá)512KB
        作者: 時間:2014-05-07 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          系列超低功耗ARM® Cortex®-M3 32位微新增一款512KB閃存產(chǎn)品。目前L1系列共有三個產(chǎn)品線合70余款產(chǎn)品,其超低功耗和存儲容量的組合在市場上堪稱獨一無二,閃存和RAM最大容量分別高達(dá)512KB和80KB。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/246506.htm

          新產(chǎn)品采用獨有的超低泄漏電流的110納米CMOS制造工藝和優(yōu)化的系統(tǒng)架構(gòu),工作能耗極低,目標(biāo)應(yīng)用瞄準(zhǔn)高成本效益的嵌入式設(shè)計,適用于健身、醫(yī)療、穿戴式設(shè)備和工業(yè)/電表等電池供電的聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。

          L1系列的主要特性:

          · 高性能ARM Cortex-M3 32位內(nèi)核:在32MHz時高達(dá)33 DMIPS;

          · 引腳對引腳和軟件與上一代STM32 L系列兼容;

          · 在32MHz時,運行模式動態(tài)功耗257µA/MHz;在4MHz時,低至177µA/MHz;

          · 兩個超低功耗模式:在SRAM內(nèi)容保留時,功耗低至435nA;

          · 真正的嵌入式EEPROM;

          · 雙區(qū)閃存,RWW讀寫同步功能使其支持具有失效保護(hù)功能的固件快速更新和恢復(fù)。

          新產(chǎn)品繼承優(yōu)勢,包括電壓調(diào)節(jié)、靈活的時鐘樹內(nèi)置低功耗多速內(nèi)部振蕩器(multi-speed internal,MSI)和-40°C 至+85°C的工作溫度范圍,低工作模式下工作溫度高達(dá)105°C,同時的新110納米制造工藝在 25°C至+105°C溫度范圍內(nèi)取得工業(yè)最小的功耗變化。

          為加快軟硬件開發(fā), 512KB配備一個STM32 Nucleo擴(kuò)展板。新的原型開發(fā)板具有 mbed[1] 功能,支持Arduino[2] 接口,同時還提供意法半導(dǎo)體 Morpho[3] 擴(kuò)展排針,可連接微的所有片上周邊外設(shè)。

          作為STM32產(chǎn)品系列的一員,新產(chǎn)品充分利用了意法半導(dǎo)體為上一代超低功耗產(chǎn)品開發(fā)的所有軟件庫和開發(fā)工具,方便設(shè)計人員輕松移植現(xiàn)有應(yīng)用。

          STM32L151、STM32L152和STM32L162三個系列現(xiàn)已量產(chǎn)。



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