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        手機(jī)充電管理設(shè)計要點(diǎn)及主流方案解析

        作者: 時間:2011-04-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        雖然目前市面上的手機(jī)品牌眾多,但其充電回路大致相同,都采用基于的充電電路。使用時易于以較低電壓控制其開關(guān),而手機(jī)主板上電壓多為3V左右,因此能輕松實現(xiàn)開關(guān)控制。另外,MOS管是電壓型控制器件,相對三極管而言,功耗也小很多。

        常見的手機(jī)充電電路可分為如下三種:

        1、+肖特基二極管:MTK和展訊平臺采用此種方式。PMOS控制充電的開關(guān)和充電電流的大小,肖特基二極管防止電池通過PMOS的內(nèi)部寄生二極管倒灌電流,且正向?qū)〞r其正向壓降相對普通二極管要小。

        推薦產(chǎn)品:BF9024SPD-M(8Pin)、BF9024SPD-MS(6Pin):主要參數(shù)請參考表一。

        手機(jī)充電管理設(shè)計要點(diǎn)及主流方案解析

        表一.BF9024SPD系列主要參數(shù)

        手機(jī)充電管理設(shè)計要點(diǎn)及主流方案解析

        圖一. PMOS+二極管

        手機(jī)充電管理設(shè)計要點(diǎn)及主流方案解析

        圖二. 分離PMOS和二極管


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