在此，我們計(jì)算一下在直徑10μm的帶電球體上單層涂布1cm²面積上的庫(kù)侖力。帶電板的間隔為1mm。下圖列出了直徑10μm的帶電球上每1cm³的電荷密度與庫(kù)侖力之間的關(guān)系。雖是面電荷，但是按照假定為點(diǎn)電荷計(jì)算的，因此得到的數(shù)值要低于實(shí)際值。

點(diǎn)電荷間的庫(kù)侖力

　　從上圖可以看出，只要有10¹⁶個(gè)/cm³以上的電荷密度，就可獲得比釹磁鐵更強(qiáng)的力場(chǎng)。

　　這里最重要的是10¹⁴個(gè)左右的密度范圍。這是半導(dǎo)體制造過(guò)程中離子注入的一般密度。因此，只要防止離子注入后發(fā)生電荷脫離及侵入，便可實(shí)現(xiàn)高電荷密度，從而獲得大庫(kù)侖力。

　　不過(guò)，電荷封入絕緣體中時(shí)，因電荷會(huì)強(qiáng)充電，不移動(dòng)的電荷會(huì)增加。這樣會(huì)生產(chǎn)強(qiáng)大的排斥力，因此電荷注入存在極限。

可封入電荷的帶電體構(gòu)造

　　綜上所述，為了獲得大庫(kù)侖力，必須用不同于以往的做法來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度的帶電體。在此提出兩個(gè)可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定帶電體構(gòu)造的方案。