1.主要參數(shù)及特性

MOSFET是由電壓控制型器件，輸入柵極電壓VG控制著漏極電流ID，即一定條件下，漏極電流ID取決于柵極電壓VG。極限參數(shù)有：最大漏源電壓VDS、最大柵源電壓VGS、最大漏極電流ID，最大功耗PD。在使用中不能超過極限值，否則會損壞器件。主要電特性有：開啟電壓VGS(Th)；柵極電壓為零時的IDSS電流；在一定的VGS條件下的導(dǎo)通電阻RDS(ON)。

2.基于開關(guān)電源IC3843驅(qū)動電路

HS70N06VGS一般3.1V就可以完全開啟,也有很低的導(dǎo)通電阻RDS(ON),像3843這類內(nèi)部帶圖騰柱驅(qū)動電路的IC一般都可以很輕松的驅(qū)動它.柵極電阻的選擇范圍也比較大,一般可以從幾歐到幾百歐.

3.基于MCU圖騰驅(qū)動電路

MCU的工作電壓都比較低(一般都在5.5V以下),不能直接驅(qū)動HS80N75或者說驅(qū)動能力很差.所以我們一般選擇增加外部圖騰驅(qū)動電路.

4.基于逆變器輸出驅(qū)動電路

5.基于HID安定器全橋驅(qū)動電路

6.基于DCBL馬達驅(qū)動電路

在這種通電方式里,每瞬間均有三只MOSFET通電.每60o換相一次,每次有一個MOSFET換相,每個MOSFET通電180o.