由上述分析可知，本項目采用的自舉電容初始充電的方法簡單實用，在實際項目應(yīng)用中取得良好的效果。

　　本文分析了自舉電路的基本原理，并在此基礎(chǔ)上，通過實際項目，介紹了自舉電路各元器件的選型，通過將初始充電控制程序放在PWM更新函數(shù)中，保證了充電的實時性，在應(yīng)用中取得了良好的IPM驅(qū)動效果，為自舉電容的初始充電提供了一個簡單實用可靠的方案?？傊诶碚撝笇?dǎo)的基礎(chǔ)上，使得控制算法和硬件參數(shù)緊密相關(guān)，并在實際系統(tǒng)反復(fù)調(diào)試并最終確定參數(shù)，以便最大程度地保證電路的可靠性。

　　參考文獻

　?。?］ 李正中，孫德剛。高壓浮動MOSFET柵極驅(qū)動技術(shù)［J］。通信電源技術(shù)，2003（3）：37-40.

　　［2］ ?ZKILIC M C.HONSBERG M，RADKE T.A novel intelligent power module（IPM） in a compact transfer mold package with new high voltage integrated circuit（HVIC） and integrated bootstrap diodes［C］.IEEE 14th International Power Electronics and Motion Control Conference，EPE-PEMC 2010.

　?。?］ PARL S，JAHNS T.M.A self boost charge pump topology for a gate drive high-side power supply［J］.IEEE Trans. on Power Electronics，2005，20（2）：300-307.

　?。?］ ALI R，DAUT I，TAIB S，et al.Design of high-Side MOSFET driver using discrete components for 24 Voperation［J］.IEEE The 4th International Power Engineering and Optimization Conference.（PEOCO2010），Shah Alam，Selangor，MALAYSIA： 23-24 2010.