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        一款可實現超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設計方案

        作者: 時間:2014-01-07 來源:網絡 收藏
        ont-family: 宋體, Georgia, verdana, serif; ">4、瞬態(tài)響應

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/227098.htm

        瞬態(tài)響應是穩(wěn)壓器的動態(tài)特性,指負載電流階躍變化引起輸出電壓的瞬態(tài)脈沖現象和輸出電壓恢復穩(wěn)定的時間,與輸出電容COUT和輸出電容的等效串聯電阻RESR,以及旁路電容Cb有關,最大瞬態(tài)電壓脈沖值ΔVTR(MAX)為:

        一款可實現超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設計方案

        其中: IO(MAX)是指發(fā)生階躍變化的最大負載電流;Δt1是穩(wěn)壓器閉環(huán)的響應時間,與穩(wěn)壓器閉環(huán)帶寬(0dB頻率點)有關。設計應用時需考慮降低穩(wěn)壓器的瞬態(tài)電壓脈沖,即提高穩(wěn)壓器的帶寬,增大輸出和旁路電容,降低其等效電阻。

        5、輸出精度

        穩(wěn)壓器的輸出精度是由多種因素的變化在輸出端共同作用的體現,主要有輸入電壓變化引起的輸出變化ΔVLR、負載變化引起的輸出變化ΔVLDR、基準漂移引起的輸出變化ΔVref、誤差放大器失調引起的輸出變化ΔVamp、采樣電阻阻值漂移引起的輸出變化ΔVres、以及工作溫度變化引起的輸出變化ΔVTC,輸出精度ACC由下式給出:

        一款可實現超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設計方案

        其中ΔVref、ΔVamp及ΔVres對ACC影響較大,故基準電壓源、誤差放大器及采樣電阻網絡的拓撲結構在設計時需重點考慮。

        電路設計及模擬結果

        1、帶隙基準電壓源的設計

        基準電壓源是的核心模塊,是影響穩(wěn)壓器精度的最主要因素。帶隙基準電壓源的工作原理是利用晶體管的VBE所具有的負溫度系數與不同電流密度下兩晶體管之間的ΔVBE所具有正溫度系數的特性,乘以合適的系數使二者相互補償,從而得到低溫漂的輸出電壓。

        電路實現如圖2所示,有:

        一款可實現超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設計方案

        其中n為Q1、Q2的發(fā)射區(qū)面積比。Hspice模擬結果表明,當電源電壓變化范圍在2.5~6V之間時,常溫下VREF = 1.254V,溫度變化范圍在-30~120℃之間時,溫漂系數小于10×10-6/℃。

        一款可實現超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設計方案

        圖2帶隙基準源電路2、誤差放大器的設計

        誤差放大器將輸出反饋采樣電壓與基準電壓進行差值信號比較放大,輸出后控制調整管的導通狀態(tài),保持Vout穩(wěn)定,其增益、帶寬及輸入失調電壓等指標對穩(wěn)壓器的輸出精度、負載和電壓調整能力、瞬態(tài)響應等特性有較大影響,電路實現如圖3所示。通過Hspice模擬得到該誤差放大器在VCC1為4.2V時,其輸入失調電壓為0.05μV,直流增益為110dB,帶寬達到10MHz.

        一款可實現超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設計方案

        圖3誤差放大器電路

        3、過流限制模塊的設計

        過流限制電路的設計思路是通過對調整管柵源電壓進行采樣,實現控制調整管的柵極電壓,從而達到限制輸出電流的目的,電路實現如圖4所示。

        一款可實現超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設計方案

        圖4過流限制電路

        當負載電流由小增大時,VDrv隨之降低,調整管MTG的ID隨之增大,通過M20對調整管MTG的柵源電壓進行采樣,使得M31的柵極電壓增大,這樣M21的柵極電壓隨之降低,從而實現對VDrv的調整。通過Hspice模擬得到,當負載電流超過330mA時,M21將開始導通,從而使VDrv隨之提高,使調整管MTG導通程度減弱,起到限流保護作用。

        3.4過熱保護模塊的設計



        關鍵詞: CMOS 線性穩(wěn)壓器

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