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        影響EMC的因素和降噪技術(shù)

        作者: 時間:2014-01-13 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        電壓——電源電壓越高,意味著電壓振幅越大而發(fā)射就更多,而低電源電壓影響敏感度。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/226966.htm

        頻率——高頻產(chǎn)生更多的發(fā)射,周期性信號產(chǎn)生更多的發(fā)射。在高頻數(shù)字系統(tǒng)中,當(dāng)器件開關(guān)時產(chǎn)生電流尖峰信號;在模擬系統(tǒng)中,當(dāng)負(fù)載電流變化時產(chǎn)生電流尖峰信號。

        接地——對于電路設(shè)計(jì)沒有比可靠和完美的電源系統(tǒng)更重要的事情。在所有問題中,主要問題是不適當(dāng)?shù)慕拥匾鸬?。有三種信號接地方法:單點(diǎn)、多點(diǎn)和混合。在頻率低于1MHz時可采用單點(diǎn)接地方法,但不適于高頻。在高頻應(yīng)用中,最好采用多點(diǎn)接地。混合接地是低頻用單點(diǎn)接地而高頻用多點(diǎn)接地的方法。地線布局是關(guān)鍵的。高頻數(shù)字電路和低電平模擬電路的地回路絕對不能混合。

        PCB設(shè)計(jì)——適當(dāng)?shù)挠∷㈦娐钒澹≒CB)布線對防止EMI是至關(guān)重要的。

        電源去耦——當(dāng)器件開關(guān)時,在電源線上會產(chǎn)生瞬態(tài)電流,必須衰減和濾掉這些瞬態(tài)電流來自高di/dt源的瞬態(tài)電流導(dǎo)致地和線跡“發(fā)射”電壓。高di/dt產(chǎn)生大范圍高頻電流,激勵部件和纜線輻射。流經(jīng)導(dǎo)線的電流變化和電感會導(dǎo)致壓降,減小電感或電流隨時間的變化可使該壓降最小。

        降低噪聲的技術(shù)

        防止干擾有三種方法:

        1. 抑制源發(fā)射。

        2. 使耦合通路盡可能地?zé)o效。

        3. 使接收器對發(fā)射的敏感度盡量小。

        下面介紹板級。板級包括板結(jié)構(gòu)、線路安排和濾波。

        板結(jié)構(gòu)包括:

        * 采用地和電源平板

        * 平板面積要大,以便為電源去耦提供低阻抗

        * 使表面導(dǎo)體最少

        * 采用窄線條(4到8密耳)以增加高頻阻尼和降低電容耦合

        * 分開數(shù)字、模擬、接收器、發(fā)送器地/電源線

        * 根據(jù)頻率和類型分隔PCB上的電路

        * 不要切痕PCB,切痕附近的線跡可能導(dǎo)致不希望的環(huán)路

        * 采用多層板密封電源和地板層之間的線跡

        * 避免大的開環(huán)板層結(jié)構(gòu)

        * PCB聯(lián)接器接機(jī)殼地,這為防止電路邊界處的輻射提供屏蔽

        * 采用多點(diǎn)接地使高頻地阻抗低

        * 保持地引腳短于波長的1/20,以防止輻射和保證低阻抗線路安排降噪技術(shù)包括用45。而不是90。線跡轉(zhuǎn)向,90。轉(zhuǎn)向會增加電容并導(dǎo)致傳輸線特性阻抗變化

        * 保持相鄰激勵線跡之間的間距大于線跡的寬度以使串?dāng)_最小* 時鐘信號環(huán)路面積應(yīng)盡量小

        * 高速線路和時鐘信號線要短和直接連接

        * 敏感的線跡不要與傳輸高電流快速開關(guān)轉(zhuǎn)換信號的線跡并行

        * 不要有浮空數(shù)字輸入,以防止不必要的開關(guān)轉(zhuǎn)換和噪聲產(chǎn)生

        * 避免在晶振和其它固有噪聲電路下面有供電線跡

        * 相應(yīng)的電源、地、信號和回路線跡要平行以消除噪聲

        * 保持時鐘線、總線和片使能與輸入/輸出線和連接器分隔

        * 路線時鐘信號正交I/O信號

        * 為使串?dāng)_最小,線跡用直角交叉和散置地線


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        關(guān)鍵詞: EMC 降噪技術(shù)

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