據(jù)了解，通過替換成Mo基板或MoCu基板，可提高LED芯片的散熱性能，而且有助于實現(xiàn)LED芯片的高功率化及高效率化。據(jù)介紹，目前從事廠商正在討論導入該產品。

　　下面就介紹一下替換基板的LED芯片制造工藝。

首先，在藍寶石基板上使GaN系半導體結晶外延生長，然后將Mo基板或MoCu基板粘貼在GaN系半導體結晶上。

隨后揭下藍寶石基板，切割成LED芯片。將藍寶石基板替換成其他基板的技術已用于部分藍色LED芯片，但攀時日本表示，采用Mo基板目前只限于紫外LED芯片。這是因為使用激光劃片（Laser Dicing）方法將利用Mo基板等替換的LED晶圓切割成LED芯片時的速度較慢。“如果是藍寶石基板，激光劃片的速度為100mm/s，而Mo基板卻僅為25mm/s”（該公司解說員）。因此，很難提高LED芯片的生產效率，不適于生產供貨量較多的藍色LED芯片。

　　不過，由于激光劃片的技術不斷提高，因此近期很可能在生產藍光LED芯片等時采用Mo基板進行大量生產。