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        迎合穿戴裝置設計 電阻/二極管邁向超微化

        作者: 時間:2014-02-10 來源:元器件交易網 收藏

        與二極體(Diode)將朝更微型化推進。隨著行動與穿戴式裝置配備的功能更趨多元,其搭載的、齊納(Zener)二極體及蕭特基(Schottky)二極體等離散式(Discrete)元件體積亦被要求朝更小尺寸演進,也因此,羅姆(ROHM)已透過全新制程技術,打造超微型與二極體,滿足品牌商開發(fā)需求。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/221308.htm

            羅姆株式會社董事暨離散式元件生產部本部長東克己(右1)表示,該公司已克服量產微型化離散元件的技術窒礙,成功投產超微型化電阻及二極體元件。左一為董事長勝野英和、左二為FAE海外系長水源德健、右二為RASMID開發(fā)課課長玉川博詞。

            羅姆株式會社Discrete制造本部本部長東克己表示,面對智慧型手機、穿戴式裝置及消費性醫(yī)療電子裝置等對于更微小化的離散式元件需求看漲,該公司已借助全新制程,成功量產出超微小化電阻、齊納二極體及蕭特基二極體,其中電阻最小尺寸僅0.2毫米×0.1毫米,預定將于2014年10月開始供貨;而齊納二極體與蕭特基二極體則為0.4毫米×0.2毫米。

            據(jù)了解,由于電阻和二極體體積縮小容易犧牲電氣特性,因此羅姆系采用獨創(chuàng)晶片元件結構和超精密加工技術,藉此維持與傳統(tǒng)0.6毫米×0.3毫米產品同樣的電氣特性,并實現(xiàn)更小型化和超薄化的設計。

            至于羅姆發(fā)布0.2毫米×0.1毫米齊納二極體與蕭特基二極體的時間點,羅姆株式會社Discrete制造本部RASMID開發(fā)課課長玉川博詞說明,齊納二極體和蕭特基二極體屬于p-n接面的晶片,因此微型化不易,短時間內該公司將不會考慮推出0.2毫米×0.1毫米方案。

            盡管超微型化的離散元件單價較高,但東克己認為,由于超微型化電阻和二極體的電極、焊接及焊膏尺寸小,因此整體物料清單(BOM)成本亦跟著調降,系統(tǒng)業(yè)者不僅不會墊高成本,且能挾微型化優(yōu)勢提高產品的附加價值。

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        關鍵詞: 穿戴裝置 電阻

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