ST推出一款新的1-Mbit串行EEPROM 芯片，這個(gè)型號(hào)為M24M01的新產(chǎn)品采用微型SO8N封裝，封裝外殼寬度僅為150-mil (3.8mm)；這個(gè)串行EEPROM是目前市場(chǎng)上唯一的在如此小的封裝內(nèi)擠進(jìn)高密度存儲(chǔ)器芯片的半導(dǎo)體器件。該產(chǎn)品還有一款是采用SO8W封裝，這款產(chǎn)品內(nèi)置I2C雙線串口，專門為消費(fèi)電子和醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì)，是保存參數(shù)經(jīng)常被修改的海量數(shù)據(jù)的理想選擇。存儲(chǔ)密度從1千位一直到1兆位，ST的I2C EEPROM系列是目前市場(chǎng)上的最強(qiáng)大的產(chǎn)品陣容。

　　M24M01支持100 kHz和400 kHz時(shí)鐘頻率，全面兼容I2C規(guī)范，1.8V到5.5V的寬工作電源電壓。 128-Kbits x 8存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，支持字節(jié)和頁(yè)式寫(xiě)模式，寫(xiě)操作極快，256字節(jié)寫(xiě)操作低于5ms。改進(jìn)的輸入噪聲過(guò)濾功能可以防止器件在電氣噪聲環(huán)境中出現(xiàn)亂真寫(xiě)操作。數(shù)據(jù)保存能力超過(guò)40年，耐擦寫(xiě)能力不低于100萬(wàn)次擦寫(xiě)循環(huán)。工作溫度范圍-40℃到+85℃。

　　這個(gè)緊湊型產(chǎn)品的高存儲(chǔ)密度歸功于ST先進(jìn)的0.18微米EEPROM制造工藝。SO8N封裝的尺寸極小,將為數(shù)字電視、DVD影碟機(jī)、機(jī)頂盒和醫(yī)療設(shè)  
備制造商降低應(yīng)用中的電路板空間需求提供機(jī)會(huì)，同時(shí)還能擴(kuò)大設(shè)置參數(shù)、調(diào)諧信息、用戶自定義設(shè)置和其它數(shù)據(jù)的可用存儲(chǔ)空間。.