表1：安森美半導(dǎo)體硅共模濾波器

　　值得一提提，將ESD保護(hù)構(gòu)建在共模濾波器襯底中并不會(huì)明顯降低信號(hào)完整性等級(jí)，能夠針對(duì)重復(fù)出現(xiàn)的ESD事件提供保護(hù)。這些更高集成度器件的占位面積比基于傳統(tǒng)線圈的共模濾波器(在500 MHz及3 GHz截止頻率時(shí)共模抑制比為15 dB)小，性能相當(dāng)，但覆蓋的噪聲抑制頻率范圍要大多得。這些硅共模濾波器的關(guān)鍵特性包括智能手機(jī)手機(jī)通信頻率范圍的寬帶衰減。設(shè)計(jì)人員在始于700 MHz的頻率能夠獲得-25 dB的共模衰減，而這是LTE及4G通信的重要頻率。

　　此外，這些硅共模濾波器的ESD保護(hù)動(dòng)作非?？?，能夠提供±15 kV接觸放電的ESD保護(hù)，優(yōu)于反應(yīng)動(dòng)作更慢的壓敏電阻ESD保護(hù)方案。壓敏電阻較慢的響應(yīng)時(shí)間會(huì)使接口的電壓更高，可能損壞ESD器件旨在保護(hù)的產(chǎn)品。在0.5 mm間距的塑料封裝中，這些硅共模濾波器與最流行的接口標(biāo)準(zhǔn)兼容及匹配，能夠通過HDMI 1080p 24位全彩色信號(hào)，而不會(huì)損及信號(hào)質(zhì)量。

　　圖5：安森美半導(dǎo)體EMI4182硅共模濾波器在HDMI 1.4環(huán)境下的信號(hào)完整性演示

　　總結(jié)

　　安森美半導(dǎo)體推出了集成共模EMI濾波和ESD保護(hù)的系列高集成度IC，如EMI2121、EMI4182及EMI4183等。與基于鐵氧體或陶瓷的共模濾波器相比，這種高集成IC在無(wú)線頻譜范圍內(nèi)為手機(jī)頻率提供更深的衰減曲線，配合智能手機(jī)及數(shù)碼相機(jī)等應(yīng)用的高帶寬連接需求，同時(shí)提升系統(tǒng)可靠性、減少元件數(shù)量及降低成本。