內(nèi)存芯片識(shí)別方法
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---- ③代表內(nèi)存芯片內(nèi)部Bank: 其中“2”表示2個(gè)Bank，“4”表示4個(gè)Bank。
---- ④代表內(nèi)存接口: “1”代表LVTTL。
---- ⑤代表內(nèi)核版本。
---- ⑥代表功耗: 其中“L”代表低功耗，空白則代表常規(guī)功耗。
---- ⑦代表封裝類型: “T”表明是TSOP-Ⅱ封裝，如果是“I”則代表BLP封裝。
---- ⑧代表速度: 其編號(hào)與速度的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下:
“75”: 7.5ns(133MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“7K”: 10ns(PC-100 CL2或3)
“7J”: 10ns(100MHz)
“10K”: 10ns(100MHz)
“12”: 12ns(83MHz)
“15”: 15ns(66MHz)
三、KingMax SDRAM內(nèi)存芯片的識(shí)別
---- KingMax公司的SDRAM內(nèi)存芯片上的標(biāo)識(shí)格式如下:
KM X XX S XX X X X X X - X XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩
---- “KM”表示KingMax的產(chǎn)品。
---- ①代表內(nèi)存芯片種類: “4”代表DRAM。
---- ②代表內(nèi)存芯片組成個(gè)數(shù): “4”代表×4，“8”代表×8，“16”代表×16。
---- “S”表明是SDRAM。
---- ③代表一個(gè)內(nèi)存芯片密度: “1”代表1Mbit，“2”代表2Mbit，“4”代表4Mbit，“8”代表8Mbit，“16”代表16Mbit。
---- ④代表刷新速度: “0”代表4K Ref，“1”代表2K Ref，“2”代表8K Ref。
---- ⑤代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成: “2”代表2個(gè)Bank，3代表4個(gè)Bank。
---- ⑥代表內(nèi)存接口: “0”代表LVTTL，“1”代表SSTL。
---- ⑦代表內(nèi)存版本: 空白代表第1代，“A”代表第2代，“B”代表第3代。
---- ⑧代表封裝類型: “T”代表封裝類型為TSOP-Ⅱ。
---- ⑨代表電源供應(yīng)方式: “G”代表自動(dòng)刷新，“F”代表低電壓自動(dòng)刷新。
---- ⑩代表最少存取周期(最高頻率): 其編號(hào)與速度的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下:
“7”: 7ns(143MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“10”: 10ns(100MHz)
“H”: 100MHz@CAS值為2
“L”: 100MHz@CAS值為3
---- 例如內(nèi)存標(biāo)識(shí)為“KM416S16230A-G10”指的是KingMax的16Mbit×16 =256Mbit SDRAM內(nèi)存芯片，刷新為8K Ref，內(nèi)存Bank為3，內(nèi)存接口為LVTTL，第2代內(nèi)存，自動(dòng)刷新，速度是10ns(100MHz)。
內(nèi)存編號(hào)識(shí)別(三)
內(nèi)存作假主要是以低速內(nèi)存冒充高速度的，以低容量內(nèi)存冒充高容量的。要
杜絕此類作假，就要學(xué)會(huì)識(shí)別內(nèi)存規(guī)格和內(nèi)存芯片編號(hào)，方法一般是看SPD芯片中
評(píng)論