內(nèi)存芯片識(shí)別方法
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，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54
針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16 FBGA，F(xiàn)C=60針11*13
FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA
，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP
（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時(shí)間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內(nèi)部標(biāo)識(shí)
號(hào)。以上編號(hào)表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V
Vdd CMOS制造工藝，7ns、143MHz速度。
（5）SEC（Samsung Electronics，三星）
三星EDO DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416C254D表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表
RAM種類（4=DRAM）；16代表內(nèi)存芯片組成x16（1=x1[以1的倍數(shù)為單位]、4=x4、
8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內(nèi)存密度256Kbit（256
[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）
；D代表內(nèi)存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星
評(píng)論