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        硅頻率控制器(SFC)技術(shù)(二)

        作者: 時(shí)間:2013-09-22 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
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          圖4 負(fù)載電容變化與頻率的關(guān)系

          由公式(1)可得頻率變化為:

          (FCL1-FCL2)/FCL1=C1/2 * [1/(C0+CL1)-1/(C0+CL2)] * 10E6 (3)

          從公式(2)和公式(3)中可知C11和C12的精度將影響頻率的精度。具體數(shù)據(jù)如表1所示。其中參數(shù)的取值如前文:C1=20fF,C0=5pF,CS1=CS2=8pF,C11=C12=18pF。

          表1

        硅頻率控制器(SFC)技術(shù)(二)

        在很多應(yīng)用場(chǎng)合,電容精度取5%,從上表可看出它對(duì)頻率精度的影響可達(dá)到28PPM。這在設(shè)計(jì)中容易被忽略的。

          其他因素:如回流焊接的影響,濕度的影響,大氣壓的影響等。這些因素影響不大,不再這里詳述。

          晶體振蕩總的頻率精度就是上述五個(gè)方面之和。


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