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        DS1972 EPROM仿真模式,用于保護(hù)數(shù)據(jù)不被意外擦除

        作者: 時(shí)間:2013-12-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        ,用于保護(hù)數(shù)據(jù)不被意外擦除

        是一款1024位的1-Wire? E芯片,存儲(chǔ)器分為四個(gè)頁面,每頁256位,采用堅(jiān)固的iButton?封裝。數(shù)據(jù)先被寫入一個(gè)8字節(jié)暫存器,經(jīng)校驗(yàn)后復(fù)制到E存儲(chǔ)器。該器件的特點(diǎn)是四個(gè)存儲(chǔ)頁面相互獨(dú)立,可以單獨(dú)進(jìn)行寫保護(hù)或進(jìn)入EPROM,在該模式下,所有位的狀態(tài)只能從1變成0。通過一條1-Wire總線進(jìn)行通信,采用標(biāo)準(zhǔn)的1-Wire協(xié)議。每個(gè)器件都有不能更改的、唯一的64位ROM序列號(hào),由工廠光刻寫入芯片。在一個(gè)多節(jié)點(diǎn)1-Wire網(wǎng)絡(luò)環(huán)境下,該序列號(hào)可以用作器件地址。

        關(guān)鍵特性

        • 1024位EEPROM存儲(chǔ)器,分成四個(gè)頁面,每頁256位
        • 獨(dú)立的存儲(chǔ)頁面,可以被永久寫保護(hù)或進(jìn)入EPROM(“改寫為0”)
        • 切換點(diǎn)滯回與濾波可以優(yōu)化噪聲指標(biāo)
        • IEC 1000-4-2 4級(jí) ESD保護(hù)(±8kV接觸放電、±15kV氣隙放電模式)
        • -40°C至+85°C溫度范圍內(nèi),可在2.8V至5.25V工作電壓下進(jìn)行讀、寫操作
        • 按照1-Wire協(xié)議,以15.4kbps或125kbps速率通過一條數(shù)字信號(hào)線與主機(jī)通信

          應(yīng)用/使用

          門禁控制/停車計(jì)費(fèi)表
          庫存控制
          保持/監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
          工具管理
          工作流程跟蹤



        關(guān)鍵詞: DS1972 EPROM 仿真模式

        評(píng)論


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