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        基于晶豐明源MCU和AFE的便攜式儲能48V BMS應(yīng)用方案

        作者: 時間:2025-05-16 來源:大大通 收藏

        方案描述

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/202505/470561.htm

              大聯(lián)大集團針對的電池保護(hù)系統(tǒng),推出基于(BPS)的 LKS32MC453 和 BM81710H 的 48V 高邊 BMS 方案。NMOS 采用芯邁(Silicon Magic)的 SDN10N3P5B-AA。PMOS 采用華潤微(Crmicro)的 CRTM900P10LQ。方案還配備一個納芯微的氣體壓力傳感器 NSPGS2。此方案具有電芯電壓采集、電流采集、溫度采集、被動均衡、充放電控制、高邊開關(guān)、充放電同口等功能特點,支持:過壓/欠壓保護(hù)、高/低溫保護(hù)、斷路保護(hù)、過流保護(hù)等保護(hù)機制。




        二、硬件設(shè)計說明

        1. 主控

               BPS 的 LKS32MC453 , 192MHz 32位CortexM4F 內(nèi)核,具有豐富的DSP指令,硬件浮點運算單元。內(nèi)置高達(dá)256KB的Flash存儲器,支持加密保護(hù),最大40KB的SRAM。集成了高性能模擬器件、多種I/O端口和豐富的外設(shè)。內(nèi)置12MHz高精度RC時鐘和低速32kHz 低速時鐘,可外掛12~24MHz外部晶振,內(nèi)部PLL可提供最高 192MHz 主頻。

        • 256KB Flash,40KB SRAMB。

        • 包含 3路14Bit SAR ADC,2 Msps采樣及轉(zhuǎn)換速率。

        • 包含 2路12bit DAC 數(shù)模轉(zhuǎn)換器。

        • 3個通用16位Timer、2個通用32位Timer、1個24bit systick 定時器。

        • 2 個 I2C 接口、2 個 SPI 接口、1路 CAN 接口和 3路 UART 接口

        • 1路獨立DMA引擎, 共8個通道, 支持8、16、32bit傳輸

        • ADC自檢模塊,支持開路短路檢查

        • 1個CRC模塊

        1. -BM81710H

         BM81710H 是一款高集成高精度鋰電池監(jiān)控及全方位的安全保護(hù)芯片,且具有高邊NMOS 充放電管驅(qū)動控制,適用于10-17 串三元鋰或磷酸鐵鋰等多種電池包應(yīng)用。主要有以下功能特點:

        • 支持 10~17 串電池;

        • 輸入電壓:5V~95V;

        • 電池電壓采集 ADC:14-bit/16-bitΔΣ ,精度:±5mV@2~4.25V/25℃;

        • 4 路溫度檢測 ADC:14-bit/16-bitΔΣ ,精度:±1℃@-40℃~85℃;

        • 母線電流采集 ADC:16-bit ΔΣ ,精度:±20uV@±5mV/25℃, ±50uV@±200mV/25℃, ±150uV@±200mV/(-40 ℃ ~85℃) ;

        • 帶庫侖計, 精度:±5%uVh,范圍: ±291271uVh ;

        • 支持充電、放電的高邊 NMOS 管控制;

        • 支持預(yù)充電、預(yù)放電的高邊 PMOS 管控制;

        • 通過 400kHz I2C 總線與 通訊,CRC-8 校驗;

        • 支持過流保護(hù)、過壓/欠壓保護(hù)、短路保護(hù)、高/低溫度保護(hù);

        • 支持?jǐn)嗑€檢測、負(fù)載和充電器接入檢測;

        • 支持 0V 禁充保護(hù);

        • 支持被動的硬件自主控制均衡和軟件控制均衡;

        • 支持外部 ECTRL 管腳控制放電管;

        • 支持電子鎖;

        • 耗電參數(shù):130uA @full power mode/25℃ ,

        • 60uA @Normal sleep mode/25℃,

        • 10uA @deep sleep mode/25℃ ,1uA @shunt down mode/25℃ ;

        • 工作環(huán)境溫度:-40~125℃

        • 封裝:LQFP-48。

        1. N-MOSFET

             充放電開關(guān)控制部分,方案的開關(guān)管 N-MOSFET 采用芯邁的 SDN10N3P5B-AA 來做充電、放電控制開關(guān)。該 MOS 管的漏源電壓(VDS)能夠達(dá)到 100V,其連續(xù)漏電流(ID)可達(dá) 120A@25℃,113A@100℃。當(dāng) VGS = 10V 時,RDS(on) 的最大值為 3.5mΩ。體二極管正向壓降為 0.9V 左右。

        1. P-MOSFET

              預(yù)充放電開關(guān)控制部分,方案的開關(guān)管 P-MOSFET 采用華潤微的 CRTM900P10LQ 來做預(yù)充電、預(yù)放電控制開關(guān)。該 MOS 管的漏源電壓(VDS)能夠達(dá)到 -100V,其連續(xù)漏電流(ID)可達(dá) -17A@25℃,-12A@100℃。當(dāng) VGS = 10V 時,RDS(on) 的典型值為 74mΩ 。體二極管正向壓降為 0.9V 左右。

        1. DC-DC

        DC-DC 部分,方案采用杰華特的 JWH5140F 來對 BAT+ 的電壓進(jìn)行降壓處理,使 DC-DC 輸出 6V 。JWH5140F 的特點如下:

        • 工作輸入范圍為 6V 至 100V。

        • 擁有6A 輸出電流,且內(nèi)部具備軟啟動功能。

        • 可調(diào)節(jié)開關(guān)頻率。

        • 在輕載下的強制連續(xù)導(dǎo)通模式(FCCM)。

        • 支持短路保護(hù)。

        • 支持高溫保護(hù)。

        • 封裝:DFN4X-4-8。

        1. LDO

        LDO 部分,方案采用杰華特的 JW7806 來對 DC-DC 的輸出電壓進(jìn)行再一步的降壓處理使 LDO 輸出 3.3V 。JW7806 的特點如下:

        • 輸入電壓范圍:2V-5.5V。

        • 輸出電壓范圍:2V-4.5V。

        • 輸出電壓精度:±2%。

        • 輸出電流:300mA。

        • 低壓差:120mV(典型值)。

        • 電源抑制比(PSRR):82dB@1kHz。

        • 無需噪聲旁路電容器。

        • 低輸出電壓噪聲:12 uVRMS。

        • 限流保護(hù)。

        • 過溫保護(hù)。

        • 工作溫度范圍:-40℃-125℃。

        • 封裝:SOT23-5。

        1. NSPGS2

        壓力檢測部分,方案采用納芯微的 NSPGS2 ,NSPGS2系列設(shè)計用于操作壓力范圍為-100kPa至350kPa,其特點如下:

        • 0°C 至 60°C 范圍內(nèi)優(yōu)于 ±1.5%(模擬)。

        • -40°C 至 70°C 范圍內(nèi)優(yōu)于 ±2.5%(模擬)。

        • 0°C 至 60°C 范圍內(nèi)優(yōu)于 ±1%(數(shù)字)。

        • -40°C 至 70°C 范圍內(nèi)優(yōu)于 ±2%(數(shù)字)。

        • 溫度范圍:-40°C ~70°C。

        • 比率/絕對模擬輸出。

        • 24 位 I2C。

        • 帶空氣噴嘴的 SOP 封裝,易于組裝。


        三、方案原理圖

        1.MCU



        2.壓力檢測



        3.BM81710H



        4.電源

               

        5.充放電控制



        6.均衡電路




        PCB Layout
        TOP Layer


        BOTTOM Layer


         

        四、軟件設(shè)計說明

        PES-BMS 方案的軟件架構(gòu)如下圖所示,包含驅(qū)動層、中間層和應(yīng)用層。

                驅(qū)動層:是 MCU 的底層驅(qū)動,直接與硬件交互,控制和管理 MCU 的硬件資源。主要負(fù)責(zé)初始化、配置和管理硬件資源。PES-BMS 方案涉及到的外設(shè)包括:GPIO、SPI、UART、TIMER、ADC、FLASH、IWDG、AON 等。

               中間層:在 MCU 軟件架構(gòu)中扮演著重要的角色,它為上層應(yīng)用提供必要的服務(wù)和功能接口,處理應(yīng)用程序與硬件之間的通信?。同時隔離系統(tǒng)軟件與底層硬件的直接交互,從而簡化了硬件的復(fù)雜性?。包括 和 BM81710H 驅(qū)動、TIMER 中斷處理、Flash 的存取、LED 的開關(guān)、與 PD 面板通訊相關(guān)的串口處理等等。

        應(yīng)用層:包括對 AFE 的管理和控制、充放電控制、電池異常狀態(tài)的處理、SOC/SOH、用戶界面(PD Panel)相關(guān)通訊協(xié)議、低功耗管理等等,確保系統(tǒng)與 PES-BMS 應(yīng)用相關(guān)的功能正常運行。



         



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