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        MOS管防反接電路設計

        作者: 時間:2025-05-14 來源:硬件筆記本 收藏

        電子元件大都是使用直流工作,電源線反接就有可能就會燒壞,那電路如何防反接?首當其沖我們想到的就是二極管了,運用其單向導通特性可有效防止電源反接而損壞電路,但是隨之而來的問題是二極管存在PN節(jié)電壓,通常在0.7V左右,低電流是影響不明顯,但流過大電流時,如流過1A電流其會產生0.7W的功耗,0.7W的功耗發(fā)熱對元件本身及周邊元件的可靠性是個非常大的考驗。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/202505/470452.htm

        可見二極管防反接最大問題是管壓降,越低損耗就越小。在晶體管中導通壓降最低的就屬場效應管了,就是我們平常叫的,那如何運用這一優(yōu)良特性設計防反接電路?如下圖所示:


        NMOS防反接電路

        當輸入上正下負時,下圖黃色線條所示電流路徑,經過R1、R2,MOS寄生二極管到地,R1與R2分壓后其GS極電壓大于MOS導通電壓Vgs,MOS導通,紅色線條所示的整個電路回路接通。


        正向導通時電流路徑

        當輸入上負下正時,下圖黃色線條所示電流路徑,電流路徑被MOS寄生二極管反向截止,因GS極沒有電壓而截止,整個電路回路斷開,有效保護了系統(tǒng)電路。


        反向截止電流路徑

        上面介紹了NMOS防反接,PMOS防反接電路如下,其防反接原理與NMOS一致,不再贅述。


        PMOS防反接電路

        通常電路系統(tǒng)是共地的就用POMS防反接,共源就用NMOS防反接。




        關鍵詞: MOS管 電路設計

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