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        至信微2000V產(chǎn)品突破HV-HTRB/HV-H3TRB測試

        作者: 時間:2025-05-08 來源: 收藏

        在新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等高壓應用場景加速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)功率器件憑借其高頻、高效、耐高溫等特性,正逐步成為產(chǎn)業(yè)升級的核心驅(qū)動力。然而,如何在高電壓等級下實現(xiàn)器件的長期可靠運行,始終是行業(yè)的技術(shù)難點。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/202505/470168.htm


            近日,至信微自主研發(fā)的2000V SiC MOSFET成功通過1600V HV-HTRB(高壓高溫反向偏壓)與1600V HV-H3TRB(高壓高溫高濕反向偏壓)兩項嚴苛測試,標志著我司在高壓碳化硅器件可靠性領域?qū)崿F(xiàn)重大突破,達到行業(yè)領先水平。


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        01

        高壓可靠性測試:SiC器件的“終極試煉”


        在功率半導體領域,HV-HTRB與 HV-H3TRB是評估器件在高溫、高濕和高電壓等惡劣環(huán)境下長期可靠性的核心測試項目:


        • HV-HTRB:模擬器件在高溫(175℃)和高反向電壓下的持續(xù)工作狀態(tài),考驗材料的耐壓能力與結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性;確保器件在實際應用中不會因高溫和高電壓而過早失效。

        • HV-H3TRB:在高溫高濕高電壓環(huán)境下施加反向偏壓,驗證器件在惡劣工況下的抗腐蝕與抗漏電性能;確保器件在高濕度、高溫度和高電壓的綜合應力下仍能滿足性能要求。


        對于2000V這一超高電壓等級,工藝技術(shù)難度呈指數(shù)級上升,主要體現(xiàn)在幾個方面:


        • 材料端: SiC雖耐高壓,但2000V下電場集中效應會放大材料缺陷,導致局部擊穿;


        • 設計端: 需通過多層復合終端結(jié)構(gòu)均勻分布電場,同時平衡導通損耗與動態(tài)特性;


        • 工藝端: 鈍化層質(zhì)量控制、柵氧界面態(tài)密度(<1×101? cm?2·eV?1);


        • 測試端:目前國內(nèi)實驗室的高壓測試平臺普遍限于1200V及以下,而1600V及以上的測試需要依賴海外高端實驗室。

        本次測試中,我們的2000V產(chǎn)品在1600V條件下順利完成了HV-HTRB和HV-H3TRB兩項關鍵可靠性測試。


        其中,HV-HTRB測試在國際權(quán)威第三方實驗室MA-tek進行,而由于國內(nèi)目前尚無支持1600V及以上條件的HV-H3TRB測試平臺,HV-H3TRB測試則在臺灣MA-tek的1600V測試平臺上完成。


        整個測試過程嚴格遵循JESD22-A101和MIL-STD-750-1兩項國際權(quán)威測試標準,歷經(jīng)1000小時的嚴苛考驗,產(chǎn)品全程無失效,充分證明了至信微產(chǎn)品在超高電壓領域的卓越可靠性和技術(shù)實力。


        02

        行業(yè)賦能


        此次至信微2000V產(chǎn)品通過HV-HTRB與HV-H3TRB測試,成功突破可靠性瓶頸,解鎖高壓電力系統(tǒng)“高效可信賴”運行密碼,為產(chǎn)業(yè)提供三大核心推力:


        • 高壓場景落地:支撐新能源領域2000V級海上風電變流器、1500V儲能系統(tǒng)直流側(cè)應用,降低系統(tǒng)損耗15%以上;

        • 高頻高效替代:助力工業(yè)電機驅(qū)動、數(shù)據(jù)中心電源從硅基IGBT轉(zhuǎn)向SiC方案,開關頻率提升10倍,設備體積縮減40%;

        • 國產(chǎn)自主閉環(huán):填補國產(chǎn)超高壓器件空白,推動車規(guī)級電驅(qū)系統(tǒng)、超充樁核心模塊100%本土化供應,加速全球碳中和產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)。


            此次2000V碳化硅MOSFET通過超高電壓可靠性測試,標志著至信微電子在高電壓功率器件領域?qū)崿F(xiàn)關鍵技術(shù)突破。未來,我們將持續(xù)加碼研發(fā)投入,深化器件性能優(yōu)化與可靠性驗證體系,加速碳化硅技術(shù)在智能電網(wǎng)、超高壓儲能等前沿場景的產(chǎn)業(yè)化滲透。


            作為以創(chuàng)新為基因的第三代半導體企業(yè),至信微電子已構(gòu)建國內(nèi)覆蓋最全、自主可控的碳化硅功率器件生態(tài):產(chǎn)品矩陣覆蓋650V-3300V全電壓譜系,導通電阻橫跨5mΩ至5Ω,通過180余種型號規(guī)格精準匹配光伏逆變、新能源車電驅(qū)、工業(yè)電源等場景需求,致力于為全球客戶提供高頻高效、極致可靠的碳化硅解決方案

        About Sicred

        關于至信微電子


            深圳至信微電子有限公司專注于第三代半導體技術(shù)的研發(fā),擁有行業(yè)領先的設計能力和制造工藝。該公司率先在國內(nèi)研發(fā)成功車規(guī)級碳化硅MOSFET,并已通過國內(nèi)汽車客戶的樣品測試。擁有多位行業(yè)專家組成的技術(shù)團隊,具備堅實的專業(yè)理論基礎和豐富的實踐經(jīng)驗,展現(xiàn)出高水平的研發(fā)能力和多年培養(yǎng)的產(chǎn)品可靠性質(zhì)量意識,能夠全面、持續(xù)、穩(wěn)定地滿足客戶需求,提供符合高標準的產(chǎn)品和服務。





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