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        巨頭入場(chǎng),硅光芯片迎來機(jī)遇

        作者: 時(shí)間:2025-04-27 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

        (Silicon Photonic Chip)是基于硅材料制造的一種新型集成芯片,它將傳統(tǒng)的電子器件與光學(xué)器件結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了光信號(hào)的產(chǎn)生、傳輸、調(diào)制和探測(cè)等功能。這一技術(shù)的核心價(jià)值在于其能夠突破傳統(tǒng)電子芯片在帶寬、功耗和延遲上的物理極限,為下一代信息技術(shù)提供全新的解決方案。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/202504/469909.htm

        據(jù) Yole 報(bào)告,2023 年,硅基 PIC(芯片)市場(chǎng)規(guī)模為 9500 萬(wàn)美元,預(yù)計(jì)到 2029 年將增長(zhǎng)至 8.63 億美元以上,復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR2023-2029) 為 45%。

        的發(fā)展可以追溯到 20 世紀(jì) 60 年代,當(dāng)時(shí)美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室首次提出「集成光學(xué)」的概念。然而,在此后的幾十年里,由于工藝技術(shù)的限制以及市場(chǎng)需求的不足,始終未能走出實(shí)驗(yàn)室階段。直到進(jìn)入 21 世紀(jì),隨著 CMOS 工藝的成熟和數(shù)據(jù)中心需求的爆發(fā),硅光芯片才逐漸從理論研究轉(zhuǎn)向產(chǎn)業(yè)化探索。英特爾、IBM 等科技巨頭的加入,更是推動(dòng)了這一技術(shù)的快速發(fā)展。

        近年來,AI 大模型訓(xùn)練、高性能計(jì)算和 5G 通信等新興場(chǎng)景對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速率和能效比提出了更高要求,進(jìn)一步加速了硅光芯片的技術(shù)迭代。根據(jù)業(yè)內(nèi)人士的分析,硅光子技術(shù)正逐步從高端市場(chǎng)向消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)滲透,成為繼 CMOS 之后最具潛力的技術(shù)平臺(tái)之一。

        產(chǎn)業(yè)格局

        硅光子產(chǎn)業(yè)格局由多元化參與者組成:積極參與硅光子行業(yè)的主要垂直整合參與者(例如 Innolight、思科、Marvell、Broadcom、Coherent、Lumentum、Eoptolink);初創(chuàng)企業(yè) / 設(shè)計(jì)公司(Xphor、DustPhotonics、NewPhotonics、OpenLight、POET Technologies、Centera、AyarLabs、Lightmatter、Lightelligence、Nubis Communications);研究機(jī)構(gòu)(例如 UCSB、哥倫比亞大學(xué)、斯坦福工程學(xué)院、麻省理工學(xué)院);代工廠(例如 Tower Semiconductor、GlobalFoundries、AMF (Advanced Micro Foundry)、imec、臺(tái)積電、CompoundTek);以及設(shè)備供應(yīng)商(例如 Applied Materials、ASML、Aixtron、ficonTEC、Mycronic Vanguard Automation、Shincron)。所有這些參與者都為顯著的增長(zhǎng)和多樣化做出了貢獻(xiàn)。

        英特爾是最早研究硅光的巨頭廠商之一,其研究硅光子技術(shù)已經(jīng)超過30 年。英特爾稱,從 2016 年推出硅光子平臺(tái)后,已出貨超過 800 萬(wàn)個(gè)光子集成電路(PIC)和超過 320 萬(wàn)個(gè)集成片上激光器,這些產(chǎn)品被很多大型云服務(wù)提供商采用。

        英特爾的硅光技術(shù),是用 CMOS 制造工藝,把激光器、調(diào)制器、探測(cè)器等光學(xué)器件與電路集成在同一塊硅基片上,實(shí)現(xiàn)電子與光學(xué)結(jié)合。它支持波分復(fù)用(WDM)技術(shù),能讓單條光纖同時(shí)傳輸多種波長(zhǎng)的光信號(hào),還有高效的光電轉(zhuǎn)換技術(shù),使硅光模塊在數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景能提供高性能互連。

        其之前推出的 100G 和 400G 硅光模塊已經(jīng)大規(guī)模商用,它正在跟云計(jì)算巨頭、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備商合作,推動(dòng)硅光技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化和普及。

        在去年 3 月的 OFC(光纖通信大會(huì))上,英特爾展示了 OCI(光計(jì)算互聯(lián))chiplet,就是把一枚硅光芯片 die 和一片 CPU die 封裝在一起,組成一個(gè)系統(tǒng),演示的是兩顆 CPU 靠光纖通信。

        在這個(gè)過程中,OCI chiplet 負(fù)責(zé)把 CPU 的電信號(hào)轉(zhuǎn)成光信號(hào)。英特爾在博客文章里提到,基于英特爾硅光子技術(shù)完全集成的 OCI chiplet,雙向傳輸速率能達(dá)到 4Tbps,在數(shù)十米距離內(nèi),單向支持 64 個(gè) 32Gbps 數(shù)據(jù)通道,上層協(xié)議跟 PCIe Gen 5 兼容。

        雖說這一技術(shù)尚未進(jìn)入量產(chǎn),但這則演示顯然是給出了硅光集成技術(shù)未來發(fā)展的可能性的。而且不單是 Intel,近一年開始探討光通信技術(shù)的企業(yè)至少還包括了英偉達(dá)、Synopsys 等上下游市場(chǎng)參與者。

        在去年的 GTC 大會(huì)上,英偉達(dá)宣布,臺(tái)積電和 Synopsys 將采用 英偉達(dá)的計(jì)算光刻平臺(tái)進(jìn)行生產(chǎn),以加速制造并突破下一代先進(jìn)半導(dǎo)體芯片的物理極限。

        臺(tái)積電和新思科技已決定在其軟件、制造工藝和系統(tǒng)中集成英偉達(dá)的 cuLitho 計(jì)算光刻平臺(tái),加快芯片制造速度,并在未來支持最新一代英偉達(dá) Blackwell 架構(gòu) GPU。

        黃仁勛表示:「計(jì)算光刻技術(shù)是芯片制造的基石。我們與臺(tái)積電和新思科技合作研發(fā)的 cuLitho 技術(shù),旨在應(yīng)用加速計(jì)算和生成式人工智能,為半導(dǎo)體微縮開辟新的前沿?!?/span>

        英偉達(dá)還推出了新的生成式 AI 算法,增強(qiáng)了 GPU 加速計(jì)算光刻庫(kù) cuLitho,與當(dāng)前基于 CPU 的方法相比,顯著改善了半導(dǎo)體制造工藝。

        而在今年的GTC 大會(huì)上,英偉達(dá)又推出 Spectrum-X Photonics,推出一體式封裝光學(xué)網(wǎng)絡(luò)交換機(jī),將 AI 工廠擴(kuò)展至數(shù)百萬(wàn) GPU。與傳統(tǒng)方法相比,它們集成了光學(xué)創(chuàng)新技術(shù),激光器數(shù)量減少了 4 倍,從而實(shí)現(xiàn)了 3.5 倍的能效提升、63 倍的信號(hào)完整性提升、10 倍的大規(guī)模網(wǎng)絡(luò)彈性以及 1.3 倍的部署速度。

        黃仁勛表示:「AI 工廠是一種具有超大規(guī)模的新型數(shù)據(jù)中心,網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施必須進(jìn)行徹底改造才能跟上步伐。通過將硅光子技術(shù)直接集成到交換機(jī)中,英偉達(dá) 正在打破超大規(guī)模和企業(yè)網(wǎng)絡(luò)的舊有限制,并開啟通往百萬(wàn) GPU AI 工廠的大門?!?/span>

        在數(shù)據(jù)通信市場(chǎng),英特爾以 61% 的市場(chǎng)份額領(lǐng)跑,思科、博通和其他小公司緊隨其后。在電信領(lǐng)域,思科(Acacia)占據(jù)了近 50% 的市場(chǎng)份額,Lumentum(Neophotonics)和 Marvel(Inphi)緊隨其后,相干可插拔 ZR/ZR+模 塊推動(dòng)了電信硅光市場(chǎng)的發(fā)展。在目前市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中,中國(guó)廠商份額較少,但國(guó)內(nèi)的中際旭創(chuàng)、新易盛、光迅科技、博創(chuàng)科技、銘普光磁、亨通光電等開始參與競(jìng)爭(zhēng),推出了 400G、800G 甚至 1.6T 的硅光模塊,旭創(chuàng) 1.6T 硅光模塊更是采用自研硅光芯片并已處于市場(chǎng)導(dǎo)入期。

        去年9 月,九峰山實(shí)驗(yàn)室成功點(diǎn)亮集成到硅基芯片內(nèi)部的激光光源,實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)首次「芯片出光」技術(shù)突破。這一技術(shù)采用自研異質(zhì)集成工藝,在 8 寸 SOI 晶圓內(nèi)部完成了磷化銦激光器的工藝集成,利用光信號(hào)替代傳統(tǒng)電信號(hào)進(jìn)行高速傳輸。這一突破不僅標(biāo)志著中國(guó)在硅光芯片領(lǐng)域的自主研發(fā)能力邁上新臺(tái)階,也為未來大規(guī)模商用奠定了基礎(chǔ)。

        背后驅(qū)動(dòng)力

        硅光芯片的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,正在重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的權(quán)力結(jié)構(gòu)。其之所以能夠在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)業(yè)化的跨越,離不開其背后的核心驅(qū)動(dòng)力。

        硅光芯片的最大優(yōu)勢(shì)在于其與現(xiàn)有CMOS 工藝的高度兼容性。其核心競(jìng)爭(zhēng)力在于其與現(xiàn)有半導(dǎo)體制造工藝的高度兼容性。傳統(tǒng)光通信器件往往需要復(fù)雜的分立組裝工藝,而硅光芯片通過與 CMOS 工藝結(jié)合,能夠直接利用現(xiàn)有的晶圓生產(chǎn)線進(jìn)行大規(guī)模制造。這種兼容性不僅大幅降低了生產(chǎn)成本,還使得硅光芯片可以無縫融入現(xiàn)有的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。

        此外,新材料體系的應(yīng)用也為硅光芯片的功能拓展提供了更多可能性。磷化銦(InP)、鈮酸鋰(LiNbO3)等材料的引入,彌補(bǔ)了硅本身作為發(fā)光材料的不足,進(jìn)一步提升了芯片的性能。

        隨著人工智能、大數(shù)據(jù)和高性能計(jì)算需求的快速增長(zhǎng),傳統(tǒng)電子芯片在帶寬、功耗和延遲方面的瓶頸逐漸顯現(xiàn)。尤其是在 AI 大模型訓(xùn)練和推理場(chǎng)景中,海量數(shù)據(jù)的處理需求對(duì)芯片的算力和能效提出了前所未有的挑戰(zhàn)。硅光芯片憑借其高帶寬、低延遲和高能效比特性,成為解決這一難題的關(guān)鍵工具。

        數(shù)據(jù)中心是硅光芯片最重要的應(yīng)用場(chǎng)景之一。據(jù)統(tǒng)計(jì),全球數(shù)據(jù)中心每年產(chǎn)生的數(shù)據(jù)流量已達(dá)到澤字節(jié)(Zettabyte)級(jí)別,傳統(tǒng)的銅纜連接方式在長(zhǎng)距離傳輸中面臨嚴(yán)重的信號(hào)衰減問題,而光纖通信雖然具備高帶寬優(yōu)勢(shì),但其高昂的成本限制了大規(guī)模普及。硅光芯片通過將光電轉(zhuǎn)換功能集成到單一芯片上,既保留了光纖通信的高帶寬特性,又大幅降低了系統(tǒng)復(fù)雜性和部署成本。以 800G 光模塊為例,采用硅光技術(shù)的產(chǎn)品相比傳統(tǒng)方案可節(jié)省約 30% 的功耗,同時(shí)體積縮小 40% 以上。這些優(yōu)勢(shì)使其成為云計(jì)算廠商和電信運(yùn)營(yíng)商的首選方案。

        全面開花

        盡管硅光芯片最初主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心和長(zhǎng)距離通信等高端市場(chǎng),但隨著技術(shù)的成熟和成本的下降,其應(yīng)用場(chǎng)景正在迅速擴(kuò)展至多個(gè)新興領(lǐng)域。硅光子技術(shù)正逐步成為智能駕駛、光計(jì)算及消費(fèi)電子領(lǐng)域突破性創(chuàng)新的核心驅(qū)動(dòng)力。

        在智能駕駛領(lǐng)域,硅光固態(tài)激光雷達(dá)技術(shù)路線被視為實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用的關(guān)鍵路徑。當(dāng)前激光雷達(dá)多依賴分立器件集成,面臨成本高、體積大、功耗及可靠性不足等瓶頸,而硅光芯片化方案通過 CMOS 工藝兼容的高密度集成,顯著降低了系統(tǒng)復(fù)雜度與制造成本。具體而言,硅基相控陣與光開關(guān)陣列兩種固態(tài)激光雷達(dá)方案,憑借其小型化、抗振動(dòng)特性,正推動(dòng)激光雷達(dá)從機(jī)械式向全固態(tài)演進(jìn)。

        Mobileye 推出的硅光子激光雷達(dá) SoC(系統(tǒng)級(jí)芯片)采用調(diào)頻連續(xù)波(FMCW)技術(shù),計(jì)劃于今年落地。該方案將多路激光發(fā)射、接收與信號(hào)處理單元集成于單一硅基芯片,體積縮小至傳統(tǒng)機(jī)械式雷達(dá)的 1/10,同時(shí)成本降低至數(shù)百美元級(jí)別,滿足車規(guī)級(jí)可靠性要求。

        不僅如此,硅光子技術(shù)在光計(jì)算領(lǐng)域的潛力同樣備受關(guān)注。隨著算力需求激增與傳統(tǒng)電子計(jì)算的能效瓶頸凸顯,光計(jì)算憑借其并行處理、低功耗及抗干擾優(yōu)勢(shì),成為突破馮·諾依曼架構(gòu)限制的前沿方向。硅光平臺(tái)依托成熟的半導(dǎo)體工藝,能夠?qū)崿F(xiàn)光波導(dǎo)、調(diào)制器等核心元件的納米級(jí)集成,為光量子計(jì)算芯片提供高密度、可編程的硬件基礎(chǔ)。硅基波導(dǎo)可穩(wěn)定生成與操控光子糾纏態(tài),而可編程光開關(guān)陣列支持量子態(tài)的高效路由。文獻(xiàn)顯示,硅光芯片已實(shí)現(xiàn) 128 模態(tài)的高斯玻色采樣,集成度較分立器件方案提升 50 倍,驗(yàn)證了其在量子比特?cái)U(kuò)展中的可行性。這一進(jìn)展被視作光量子計(jì)算走向?qū)嵱没闹匾锍瘫?/span>

        在消費(fèi)電子領(lǐng)域,硅光子技術(shù)的高集成特性完美契合了設(shè)備小型化趨勢(shì)??纱┐髟O(shè)備、生物醫(yī)療傳感器等場(chǎng)景對(duì)空間利用率要求嚴(yán)苛,而硅光芯片可在微米尺度內(nèi)整合光源、探測(cè)器與信號(hào)處理單元,顯著提升功能密度。其在微型化光譜分析、健康監(jiān)測(cè)等場(chǎng)景的應(yīng)用正逐步從實(shí)驗(yàn)室走向商業(yè)化。Meta 與硅光芯片廠商合作開發(fā)的光學(xué)模組,通過集成硅光調(diào)制器和波導(dǎo),將圖像傳輸功耗降低 40%,同時(shí)支持 8K 分辨率輸出這種跨領(lǐng)域的技術(shù)滲透,標(biāo)志著硅光子從單一芯片制造向系統(tǒng)級(jí)解決方案的跨越式發(fā)展。

        結(jié)語(yǔ)

        這場(chǎng)以光子替代電子的技術(shù)革命,不僅是對(duì)傳統(tǒng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一次顛覆性創(chuàng)新,更開啟了通向"光電融合時(shí)代"的大門。面向未來,硅光芯片的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程仍面臨多重挑戰(zhàn)。如何在提升集成度的同時(shí)控制熱效應(yīng)?怎樣實(shí)現(xiàn) III-V 族材料與硅基工藝的更優(yōu)異質(zhì)集成?能否突破光量子計(jì)算的可擴(kuò)展性瓶頸?這些問題的答案將決定技術(shù)演進(jìn)的深度與廣度。



        關(guān)鍵詞: 硅光芯片

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