臺積電管理層在周四的公司財報電話會議上透露，該公司計劃在美國生產其 30% 的 N2（2 納米級）產品，并將其 Fab 21 工廠設在亞利桑那州鳳凰城附近，這是一個獨立的半導體制造集群。這家全球最大的芯片合同制造商還表示，打算加快構建新的 Fab 21 模塊，以生產 N3（3 納米級）、N2 和 A16（1.6 納米級）節(jié)點上的芯片。

“完成后，我們約 30% 的 2nm 和更先進的產能將位于亞利桑那州，在美國創(chuàng)建一個獨立的領先半導體制造集群，”臺積電首席執(zhí)行官兼董事長 C.C. Wei 在準備好的講話中說?！八€將創(chuàng)造更大的規(guī)模經濟，并有助于在美國建立更完整的半導體供應鏈生態(tài)系統(tǒng)?！?/p>

為了在亞利桑那州生產 30% 的 N2 和 A16 產品，臺積電將再建造兩個 Fab 21 模塊。到目前為止，該公司已確認計劃在臺灣新竹和高雄科學園區(qū)建造至少三個支持 N2 和 A16 的晶圓廠模塊，并有更多模塊進來，因此該島仍將生產臺積電大部分先進芯片。然而，臺積電 30% 的 N2 和 A16 芯片在美國生產無疑是一件大事。

臺積電位于亞利桑那州的 Fab 21 模塊 1 目前正在使用該公司的 N4 和 N5 工藝技術為其美國客戶提高芯片的批量生產。該公司具有 N3 功能的 Fab 21 模塊 2（其在亞利桑那州的第二個制造工廠）的建設已經完成，該公司正在努力提前開始在那里安裝設備，以期將該工廠的芯片批量生產至少比最初模糊的 2028 年時間表提前幾個季度。

Fab 21 模塊 3 和 4 模塊（該公司將使用 N2 和 A16 節(jié)點的設施）預計將于今年晚些時候開始建設，前提是獲得所有必需的許可。臺積電沒有透露這些 Fab 21 組件的時間表，但如果有理由預期其中至少一個組件將在 2029 年初上線，前提是臺積電按時獲得所有必要的設備。

臺積電的 Fab 21 模塊 5 和模塊 6 將使用 A16 以外的工藝技術（想想 A14 甚至可能更先進），但它們的建設時間表和產量將取決于未來的客戶需求。

TSMS 對 Fab 21 的宏偉計劃是將其發(fā)展成一個 GigaFab 集群，每月至少開始生產 100,000 片晶圓，但具體何時發(fā)生還有待觀察。

“我們的擴張計劃將使臺積電能夠擴展到 GigaFab 集群，以支持我們領先客戶在智能手機、AI 和 HPC 應用方面的需求，”Wei 補充道。