驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點，涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護(hù)，實踐性很強(qiáng)。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計，英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將以雜談的形式講述技術(shù)背景，然后詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用驅(qū)動器的相關(guān)功能。

MOSFET功率半導(dǎo)體是電壓型驅(qū)動，驅(qū)動的本質(zhì)是對柵極端口的電容充電，驅(qū)動峰值電流是受功率器件驅(qū)動電阻和驅(qū)動器內(nèi)阻影響的，而驅(qū)動功率則由柵極電荷、驅(qū)動電壓和開關(guān)頻率決定。因為柵極電荷也決定這功率器件的開關(guān)行為，所以理解柵極電荷對于驅(qū)動設(shè)計很重要。

柵極電荷

IGBT的柵極對外顯示出類似電容的特性，即柵極電荷由驅(qū)動提供給柵極電壓和器件柵極電容決定，即：

如果電容的數(shù)值是恒定不變的，電壓與電荷就呈簡單的線性關(guān)系。但是IGBT的柵極等效電容則不一樣，是非線性的。圖1給出了柵極電荷 Q _G 標(biāo)幺值和柵極電壓 U _G E 的關(guān)系，是分段線性的，拐點發(fā)生在器件狀態(tài)發(fā)生變化時，最終驅(qū)動電壓到15V設(shè)計值，充電電荷到達(dá)E點。

圖1. 柵極電荷Q _G 標(biāo)幺值和柵極電壓U _GE 的關(guān)系

圖中可以看到柵極電荷充電過程可以分為四個區(qū)域。

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在時間A處，柵極電荷處于積累模式。在時間段AB之間對電容 C _GE 充電， U _GE 根據(jù)式(10.2)上升。在實際的應(yīng)用之中，時間 t _A-B 由柵極電阻(包括器件內(nèi)部和外部電阻)和等效柵極電容決定，所以， C GE 不是線性上升，而是按指數(shù)規(guī)律上升。

在絕大多數(shù)應(yīng)用中，驅(qū)動電源是一個電壓源，因此在開通過程中，由于驅(qū)動電壓下降，柵極電流I _G 的增大依賴于時間。用一個電流源代替電壓源驅(qū)動IGBT，可以實現(xiàn)U GE 的線性增大，因此Q/U的梯度總是線性的。

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在時間B處， U _GE 到達(dá)了平帶電壓 U FB ，受電壓影響的MOS電容(屬于 C _GE 的一部分)不再影響充電過程。這時相比于時間段AB， C GE 的值降低。相應(yīng)地，柵極充電斜率上升。在時間段BC之間，柵極電壓 U _GE,B-C 超過柵極閾值電壓 U _GE(TO) ，所以IGBT開始工作。

平帶電壓U _FB 描述了在某一時間,柵極表面和下層半導(dǎo)體金屬氧化層(兩者之間有柵極氧化層隔離)之間的電位相同。這時,由于柵極電荷和半導(dǎo)體電荷互相抵消,半導(dǎo)體金屬氧化層的能帶是平坦的。

在A到C階段，驅(qū)動器在給C _GE 充電，電荷為Q _GE 。

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在時間段CD，柵極的充電過程是由反饋電容 C _GC (也叫作密勒電容)決定的。這時，集-射極電壓 U _CE 不斷降低，電流 I _GC 通過 C _GC 給柵極放電，這部分電流需要驅(qū)動電流IDirver來補(bǔ)償。這時柵極出現(xiàn)一個恒定的電壓，這種現(xiàn)象叫作密勒電壓或密勒平臺。我們可以說驅(qū)動器在給 C _GC 充電，電荷為 Q _GC 。

由于集電極-發(fā)射極之間的電壓變換率為負(fù)，所以C _GC 上的電流也負(fù)值，比如，集電極-發(fā)射極電壓由近似直流母線電壓U _DC 降為飽和電壓U _CEsat 。

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IGBT一旦進(jìn)入飽和，此時的電壓為飽和電壓 U _CEsat ，d _UCE /dt 會下降到零，也沒有任何反饋。在到達(dá)時間點E之前，驅(qū)動電流會對柵極一直充電，其效果和在AB段相似。

不同廠家的數(shù)據(jù)手冊和應(yīng)用文檔都給出了類似于圖1的柵極電荷充電曲線，也給出了在時間點E時的電荷 Q _G =f _(UGE) 。

如果給出了IGBT柵-射極之間的推薦電容 C _GE ，就可以根據(jù)該電容得出柵極充電曲線或者充電電荷 Q _G 。因為柵極電荷與溫度幾乎無關(guān)，所以柵極電荷測量都是在環(huán)境溫度為25℃時完成的。但是柵極電荷與IGBT的技術(shù)和標(biāo)稱電流有關(guān)。

由于柵極幾何結(jié)構(gòu)上的不同，溝槽柵IGBT比平面IGBT具有更高的柵極電荷，微溝槽技術(shù)的器件柵極電荷會相對更大一些，因為IGBT設(shè)計中可以提高柵極密度，做一些偽溝槽來平衡器件的電容，提高器件的抗干擾能力。所以對于微溝槽柵IGBT，柵極電容 C _GE 和充電電荷 Q _G 的值相對大一點，所以，微溝槽柵IGBT需要提供更大的驅(qū)動功率。

利用 Q _GC 確定開通電阻

選擇柵極電阻是設(shè)計柵極驅(qū)動電路的重要步驟。開通過程中功率開關(guān)管（如IGBT）的柵極通過柵極電阻被充電至接近V _VCC2 ，關(guān)斷過程中利用柵極驅(qū)動器IC內(nèi)部的源極和漏極晶體管向V _VEE2 放電。

基于MOSFET輸出的柵極驅(qū)動器輸出可以簡化為動態(tài)電阻（R _DS,source ，R _DS,sink ），在開關(guān)過程中會出現(xiàn)壓降（V _DS,source ,V _DS,sink ）。

開通電阻的選擇要考慮兩個過程：

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在初始狀態(tài)，即時間t A 時，柵極電位與V _EE2 引腳相同。在此階段，電源電壓V _CC2 - V _EE2 在內(nèi)部柵極電阻R _DS,source 、外部開通柵極電阻R _G,ON 以及功率半導(dǎo)體開關(guān)內(nèi)部柵極電阻R _G,int 之間分配。這是柵極驅(qū)動器需要輸出最大電流，要通過設(shè)計外部柵極電阻保證合適脈沖電流值。

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在t _C 與t _D 之間，柵極電壓和柵極電流保持恒定，這時是在給柵極集電極電容C _GC 進(jìn)行充電。這是功率晶體管開-通過程中的一個重要過程。上面提到的米勒平臺，其持續(xù)時間由驅(qū)動電流的大小決定。因此，使用大平均電流的柵極驅(qū)動器可以實現(xiàn)更快的開通速度。在此平臺時間內(nèi)，集電極－發(fā)射極電壓（V _CE ）降至其飽和電壓。同時決定器件C-E兩端的dV/dt，米勒平臺越短，dV/dt越高。開通電阻R _G,ON 和米勒平臺時間t _ON 的關(guān)系如下：

其中Q _GC 是圖1中C時刻到D時刻的充電電荷。如果有明確的米勒平臺時間t _ON 設(shè)計目標(biāo)值，可以利用上面公式得出R _G,on 。

注：V _pl 是米勒平臺電平電壓

利用Q _G 計算功耗

通過計算功率晶體管的總柵極荷Q _Gtot 、供電電壓 V _VCC 2 –V _VEE2 、開關(guān)頻率f _S 及外部柵極電阻，來估算輸出部分的損耗。由于許多設(shè)計在開通和關(guān)斷時使用不同的電阻器，因此必須考慮開通和關(guān)斷的不同情況。這會產(chǎn)生一個特定的損耗分布，取決于：

■ 外部柵極電阻R _Gon,ext 與R _Goff,ext ；

■ 柵極驅(qū)動器輸出部分的內(nèi)部阻抗，R _Gon,IC 和R _Goff,IC ；

■ 功率器件的內(nèi)部柵極阻抗，R _G,int 。

利用Q G 設(shè)計電源退耦電容

驅(qū)動器輸出側(cè)電源的電容器需要足夠大，以保證在功率開關(guān)開通時的電源電壓降在設(shè)計期望值內(nèi)。這個值與Q _G 有關(guān)，可以使用以下方程式初步估算電容器：

此處的I _Q2 代表柵極驅(qū)動器的拉（源）靜態(tài)電流，f _sw 是開關(guān)頻率，Q _G 是功率晶體管的總柵極荷，而ΔV _VCC 是柵極最大電壓變化。考慮到電容器和柵極電荷參數(shù)的誤差典型值，額外增加了20%的余量。

例如，如果以15kHz的頻率驅(qū)動?xùn)艠O電荷為Q _G =160nC的英飛凌TRENCHSTOP? IGBT4 IKW40N120H3為例，柵極驅(qū)動器輸出側(cè)靜態(tài)電流最大值為3mA（1ED3321），允許200mV的柵極電源電壓變化，則所需的最小電容為：

考慮電容值受溫度的影響，應(yīng)至少選擇一個大于4倍的值，比如10uF的電容器。此電容器用于隔離型柵極供電電壓，應(yīng)盡可能靠近V _CC2 和V _EE2 引腳放置。為了抗噪去耦，應(yīng)在引腳V _CC2 與V _EE2 之間放置一個100nF的電容器。

理解柵極電荷對于驅(qū)動設(shè)計很重要，它能幫助你計算驅(qū)動器功率，選擇合適的驅(qū)動電阻和驅(qū)動芯片。并設(shè)計合適的驅(qū)動電源和滿足預(yù)期的功率器件開關(guān)速度。

驅(qū)動電路設(shè)計系列文章的第一波已完結(jié)，共 10篇 ， 2萬字 。