全球首發(fā),復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)研制二維半導(dǎo)體芯片“無(wú)極”
4 月 2 日消息,復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室周鵬、包文中聯(lián)合團(tuán)隊(duì)成功研制全球首款基于二維半導(dǎo)體材料的 32 位 RISC-V 架構(gòu)微處理器“無(wú)極”。
本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/202504/468973.htm據(jù)介紹,該成果突破二維半導(dǎo)體電子學(xué)工程化瓶頸,首次實(shí)現(xiàn) 5900 個(gè)晶體管的集成度,并在國(guó)際上實(shí)現(xiàn)二維邏輯芯片最大規(guī)模驗(yàn)證紀(jì)錄,是由復(fù)旦團(tuán)隊(duì)完成、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國(guó)產(chǎn)技術(shù),使我國(guó)在新一代芯片材料研制中,占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)。
“反相器是一個(gè)非?;A(chǔ)且重要的邏輯電路,它的良率直接反映了整個(gè)芯片的質(zhì)量?!?a class="contentlabel" href="http://www.antipu.com.cn/news/listbylabel/label/復(fù)旦大學(xué)">復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授周鵬介紹,二維材料不像硅晶圓可以通過(guò)直拉法生長(zhǎng)出高質(zhì)量的大尺寸單晶,而是需要通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)法來(lái)生長(zhǎng),這就導(dǎo)致了材料本身的缺陷和不均勻性。本項(xiàng)研究中的反相器良率高達(dá) 99.77%,具備單級(jí)高增益和關(guān)態(tài)超低漏電等優(yōu)異性能,這是一個(gè)工程性的突破。
▲將 ENIAC 和 Intel 4004 以及無(wú)極誕生年實(shí)現(xiàn)了加法上的運(yùn)算聯(lián)系
團(tuán)隊(duì)通過(guò)柔性等離子(Plasma)處理技術(shù)等低能量工藝,對(duì)二維半導(dǎo)體表面進(jìn)行加工,從而避免了高能粒子對(duì)材料造成的損害,充分發(fā)揮出二維半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì),也確保芯片質(zhì)量。
另外,成果產(chǎn)品具備單級(jí)高增益和關(guān)態(tài)超低漏電等優(yōu)異性能。團(tuán)隊(duì)通過(guò)嚴(yán)格的自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備測(cè)試,驗(yàn)證了在 1 kHz 時(shí)鐘頻率下,千門(mén)級(jí)芯片可以串行實(shí)現(xiàn) 37 種 32 位 RISC-V 指令,滿(mǎn)足 32 位 RISC-V 整型指令集(RV32I)要求。其集成工藝優(yōu)化程度和規(guī)?;娐返尿?yàn)證結(jié)果,均達(dá)到了國(guó)際同期最優(yōu)水平。
相關(guān)成果于北京時(shí)間 4 月 2 日晚間以《基于二維半導(dǎo)體的 RISC-V 32 比特微處理器》(“A RISC-V 32-Bit MicroprocessorBased on Two-dimensional Semiconductors”)為題發(fā)表于《自然》(Nature)期刊。
評(píng)論