今日，存儲芯片正式開始漲價(jià)浪潮。

自此，存儲市場長達(dá)多半年的低迷態(tài)勢，終于迎來轉(zhuǎn)折。

存儲芯片的兩大主力產(chǎn)品 NAND 與 DRAM，在新一季度的市場表現(xiàn)也各不相同。

NAND，開始漲價(jià)

打響漲價(jià)第一槍的是 NAND 存儲大廠閃迪，其表示將于4月1日開始實(shí)施漲價(jià)，漲幅將超10%，該舉措適用于所有面向渠道和消費(fèi)類產(chǎn)品。

緊接著美光也告知將針對新訂單提高價(jià)格，平均漲幅約 11%。3 月 25 日，美光直接發(fā)布漲價(jià)函，預(yù)計(jì)此次漲價(jià)幅度將在10%~15%。

之后，SK 海力士、三星相繼宣布將于4月同步上調(diào)NAND閃存價(jià)格。

根據(jù)渠道反饋，國產(chǎn)存儲公司的零售品牌致態(tài)宣布，將于4月起上調(diào)提貨價(jià)格，漲幅可能超過10%。

一系列消息接踵而至，在業(yè)內(nèi)引起軒然大波。

新一季度，NAND 芯片價(jià)格出現(xiàn)反彈，這主要?dú)w功于各大 NAND 龍頭果斷且迅速地調(diào)整減產(chǎn)措施。

隨著 2024 年 NAND 產(chǎn)品價(jià)格走勢疲軟，為提早應(yīng)對市場供過于求問題，美光、三星、SK 海力士、鎧俠等原廠陸續(xù)從 2024 年第 4 季重啟減產(chǎn)措施，借此阻止 NAND 價(jià)格的下跌趨勢。

今年 1 月，美光新加坡 NAND 廠突發(fā)斷電，導(dǎo)致 NAND 供貨吃緊。群聯(lián)科技執(zhí)行長潘健成亦透露，雖從 2024 年 12 月已向美光下單采購，但近期卻意外發(fā)生交貨不足的問題。三星電子和 SK 海力士兩大韓廠的減產(chǎn)措施也在持續(xù)發(fā)酵，其中三星在 3 月的交貨量僅有原先訂單的 20-25%。

其實(shí)，早在上個(gè)月，現(xiàn)貨市場的動(dòng)向就透出了一些不尋常的信號。

CFM 的報(bào)價(jià)顯示，小容量的 eMMC 以及一些 SSD 產(chǎn)品的價(jià)格已悄然上升，個(gè)別渠道也開始了漲價(jià)的試探性動(dòng)作。

TrendForce 近日發(fā)布報(bào)告稱，預(yù)計(jì)2025年第二季NAND Flash價(jià)格將止跌回穩(wěn)，環(huán)比增加0-5%。其中 ClientSSD 合約價(jià)將季增 3%-8%；Enterprise SSD 合約價(jià)將持平第一季；eMMC 合約價(jià)將與上季持平。NAND Flash Wafer 合約價(jià)將季增 10%-15%。

疊加上述存儲龍頭的最新漲價(jià)動(dòng)作，市場上已經(jīng)有人嗅到這一商機(jī)，開始囤積 SSD 了，盼著在 NAND 價(jià)格飆升之際大賺一筆。

DRAM，跌幅收斂

再看 DRAM 市場在今年第二季度的價(jià)格走向。

先說結(jié)論，盡管 DRAM 市場還沒有明確的漲價(jià)聲音傳出，但可以確定的是，第二季度DRAM市場價(jià)格跌幅將同步收斂。一般型 DRAM 價(jià)格跌幅將收斂至季減 0%-5%，若納入 HBM 計(jì)算，受惠于 HBM3e 12hi 逐漸放量，預(yù)計(jì)均價(jià)為季增 3%-8%。

具體數(shù)據(jù)方面：

在PC DRAM領(lǐng)域，DDR4 價(jià)格走勢偏弱，環(huán)比下降 3%-8%；DDR5 價(jià)格環(huán)比基本持平。

在Server DRAM領(lǐng)域，DDR4 跌幅低于市場預(yù)期，環(huán)比下降 3%-8%；DDR5 價(jià)格也環(huán)比基本持平。

在Mobile DRAM領(lǐng)域，LPDDR4X 跌幅將收斂至季減 0%-5%；LPDDR5X 價(jià)格將季增 0%-5%。

在Graphics DRAM領(lǐng)域，GDDR6 跌勢將收斂至 3%-8%；GDDR7 價(jià)格將持平上季或緩跌，約下降 0%-5%。

在Consumer DRAM領(lǐng)域，DDR3 合約價(jià)環(huán)比持平，DDR4 合約價(jià)季增 0%-5%。

綜合來看，DRAM 的價(jià)格還未來到正向增長區(qū)間。DRR5 的合約價(jià)格大約是從今年 2 月起持續(xù)上漲，LPDDR5X 的價(jià)格也相對穩(wěn)健，但 DDR4、DDR3、GDDR6 等產(chǎn)品還在給存儲市場「拖后腿」。

近日有研究機(jī)構(gòu)對 8 家相關(guān)企業(yè)進(jìn)行采訪后發(fā)現(xiàn)，很多觀點(diǎn)認(rèn)為「對賣家來說，沒有能夠替代中國的市場，再加上受到低價(jià)的中國產(chǎn)品影響，價(jià)格正在下降」。關(guān)于接下來的DRAM價(jià)格，企業(yè)認(rèn)為可能要到下半年才會上漲的觀點(diǎn)居多。

HBM, 市場暴漲 880%

近日，SK 海力士表示未來 AI 內(nèi)存的需求前景光明。

預(yù)計(jì)今年 HBM 在 SK 海力士 DRAM 總銷售額中的占比將超過 50%。SK 海力士 CEO 兼總裁

郭魯正表示：「大型科技公司正在擴(kuò)大投資，以確保在人工智能市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。由于圖形處理單元 (GPU) 和定制芯片 (ASIC) 的增加，我們預(yù)計(jì) HBM 的需求將出現(xiàn)爆炸式增長?！顾a(bǔ)充道，「今年的 HBM 市場預(yù)計(jì)將比 2023 年增長 8.8 倍以上，另一種 AI 存儲器企業(yè)固態(tài)硬盤 (SSD) 市場預(yù)計(jì)也將增長 3.5 倍」。此外，對于『DeepSeek 沖擊』，他持樂觀態(tài)度，并表示，如果各種 AI 生態(tài)系統(tǒng)被激活，將有助于在中長期內(nèi)增加（對 HBM 的）需求」。

為了繼續(xù)引領(lǐng) AI 市場，SK 海力士還將繼續(xù)準(zhǔn)備 CXL 等下一代技術(shù)和產(chǎn)品。郭魯正表示：「除了 HBM 以外，我們還準(zhǔn)備了 CXL、LPCAMM2、SOCAMM 等多種解決方案，從而不僅僅作為 AI 內(nèi)存供應(yīng)商，還能提供綜合解決方案?！?/p>

國產(chǎn)存儲廠商，蓄勢待發(fā)

如果說，以前的存儲市場主要被國際廠商所包攬，如今國產(chǎn)廠商的強(qiáng)勢出擊，硬生生把這一格局，撕開一道大口子。

在三星和 SK 海力士對華出口的存儲產(chǎn)品組合中，三星主要向中國供應(yīng) LPDDR、NAND Flash、圖像傳感器和顯示驅(qū)動(dòng)器 IC 等。SK 海力士則專注于 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品的生產(chǎn)和銷售。

從去年開始，隨著國產(chǎn)廠商競爭加劇，DDR3 和 DDR4 內(nèi)存收益下滑，三星、SK 海力士、美光便在中國大陸的這一市場中逐漸淡出。

預(yù)計(jì)從今年夏季開始，由于這些主要廠商的退出，市場上 DDR3 和 DDR4 的供應(yīng)將顯著減少。而這些需求的承接方，正是大批國產(chǎn)存儲芯片公司。

因此，在存儲市場復(fù)蘇之際，國產(chǎn)廠商有望迎來新的機(jī)遇。

從國內(nèi)市場來看，國產(chǎn) NAND 產(chǎn)品近期漲價(jià)基本已成事實(shí)。

近日，一家國內(nèi)存儲模組廠商負(fù)責(zé)人表示，今年所有存儲芯片原廠的價(jià)格都在漲。幾家存儲芯片原廠的報(bào)價(jià)，在同一時(shí)期內(nèi)都會比較接近，差異不會很大。其中，「小容量NAND是這一輪漲價(jià)里最先有反應(yīng)的品類，也是最早反彈的品種」。

目前存儲芯片制造商轉(zhuǎn)向大容量 NAND 生產(chǎn)，小容量 eMMC 等產(chǎn)品制造轉(zhuǎn)由模組廠商承擔(dān)，受原廠晶圓定價(jià)影響。比如佰維存儲、江波龍等模組廠商均基于原廠 NAND 推出 eMMC 產(chǎn)品。

因此，在小容量市場復(fù)蘇之際，這兩家公司將同步受益。

佰維存儲在接受 23 家機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，在嵌入式存儲領(lǐng)域，公司 BGASSD 已通過 Google 準(zhǔn)入供應(yīng)商名單認(rèn)證；在 PC 存儲領(lǐng)域，公司 SSD 產(chǎn)品目前已經(jīng)進(jìn)入聯(lián)想、宏碁、惠普、同方等國內(nèi)外知名 PC 廠商，此前佰維存儲就表示，其旗下 SP406/416 系列企業(yè)級 PCIe4.0SSD、SS621 系列企業(yè)級 SATASSD，與聯(lián)想服務(wù)器完成兼容性測試并獲認(rèn)證，強(qiáng)化企業(yè)級市場布局。

技術(shù)研發(fā)層面，3 月初，佰維存儲宣布，其自研的 eMMC 主控芯片 SP1800 已完成批量驗(yàn)證支持 QLC 顆粒并針對智能穿戴設(shè)備優(yōu)化功耗，同時(shí)具備端到端數(shù)據(jù)保護(hù)能力，適用于車規(guī)級應(yīng)用場景。

據(jù)悉，2024 年，佰維存儲智能穿戴存儲業(yè)務(wù)收入同比大幅增長，2025 年將深化與 Meta 等客戶在 AI 眼鏡領(lǐng)域的合作。

江波龍近日正式向香港聯(lián)交所遞交了發(fā)行境外上市外資股（H 股），并在香港聯(lián)交所主板掛牌上市的申請。目前，江波龍?jiān)诋a(chǎn)品布局上持續(xù)發(fā)力，其首顆 32Gbit 2D MLC NAND 完成流片驗(yàn)證，覆蓋 SLC/MLC 多容量產(chǎn)品，適用于網(wǎng)絡(luò)通信、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。該公司目前擁有嵌入式存儲、固態(tài)硬盤、移動(dòng)存儲和內(nèi)存條四大產(chǎn)品線，經(jīng)營三個(gè)主要品牌，分別是 FORESEE、Zilia、雷克沙。

其次，目前國內(nèi)多家芯片廠商布局 NAND 存儲芯片。包括兆易創(chuàng)新、東芯股份、江波龍等。不過，兆易創(chuàng)新、東芯股份 NAND 產(chǎn)品均為 2D SLC NAND。而本輪 NAND 漲價(jià)主要以 3D NAND 產(chǎn)品為主，而 2D NAND 今年價(jià)格始終平穩(wěn)，未見明顯價(jià)格拐點(diǎn)。

DRAM 方面，北京君正于投資者互動(dòng)平臺表示，公司正在積極推進(jìn) DRAM 產(chǎn)品的更新迭代，采用 20nm 工藝的新產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在 2025 年推出樣品，后續(xù)還將陸續(xù)推出更新工藝的 DRAM 產(chǎn)品。此外，北京君正還計(jì)劃在 20nm 工藝產(chǎn)品之后，繼續(xù)推進(jìn)更先進(jìn)工藝的 DRAM 產(chǎn)品研發(fā)。

存儲龍頭，期待回春

在剛剛過去的第一季度，存儲巨頭們過的可并不算如意。

美光：存儲業(yè)務(wù)營收狂跌20%

近日，美光發(fā)布了截至 2025 年 2 月 27 日的 2025 財(cái)年第二財(cái)季財(cái)報(bào)，盡管在這一季度中美光實(shí)現(xiàn)營收 80.5 億美元，同比增長 38%。但單拎出來其存儲業(yè)務(wù)部門（SBU）看，可以發(fā)現(xiàn)美光也面臨著存儲市場逆風(fēng)的壓力。

財(cái)報(bào)顯示，美光 SBU 營收 14 億美元，環(huán)比下降 20%。

三星、SK海力士：對華出口暴跌

2024 年，韓國芯片出口總額高達(dá) 1330 億美元，其中近四成來自中國訂單。

去年，三星和 SK 海力士這兩家公司依托中國《推動(dòng)大規(guī)模設(shè)備更新和消費(fèi)品以舊換新行動(dòng)方案》相關(guān)舉措，在華銷售額實(shí)現(xiàn)大幅增長。

三星電子 3 月 12 日公布的業(yè)務(wù)報(bào)告顯示，公司去年對華出口額同比增加 53.9%，為 64.9275 萬億韓元，超過對美出口額 61.3533 萬億韓元。在公司對華出口額中，芯片銷售占絕大部分。另據(jù)三星電子審計(jì)報(bào)告數(shù)據(jù)，公司在中國西安的 NAND 工廠（銷售額 11.1802 萬億韓元，營業(yè)利潤 1.1954 萬億韓元）和上海的半導(dǎo)體銷售分公司（銷售額 30.0684 萬億韓元）去年銷售額也大幅提升。

SK 海力士同樣在中國市場取得了穩(wěn)健增長。其無錫 DRAM 工廠去年不僅成功扭虧為盈，營業(yè)利潤達(dá)到 5985 億韓元，銷售額也同比增長 64.3%，凈利潤同比大增 65.4%。SK 海力士在中國的銷售額為 5.6 萬億韓元，較前年有所增加。

暴漲之后，在 2025 年開年，形勢急轉(zhuǎn)直下。

最新數(shù)據(jù)顯示，今年一月，韓國對華芯片出口暴跌 22.5%，2 月跌幅擴(kuò)大至驚人的 31.8%。行業(yè)預(yù)測，3 月跌幅可能突破 30%，芯片出口量或?qū)?chuàng)十年新低。

"以前是訂單接到手軟，現(xiàn)在倉庫堆滿芯片賣不出去。"韓國半導(dǎo)體行業(yè)人士近日感嘆，這個(gè)曾憑借存儲芯片傲視全球的產(chǎn)業(yè)，正經(jīng)歷著前所未有的寒冬。

三星、美光、SK 海力士等廠商此前已經(jīng)退出 SLC NAND Flash 市場。出于成本效率因素考慮，市場預(yù)計(jì)后續(xù)海外存儲原廠可能逐漸退出 MLC NAND Flash 市場。隨著國際巨頭的逐漸淡出，國產(chǎn)存儲公司的發(fā)揮空間便更大了。

隨著三大存儲龍頭逐步轉(zhuǎn)向附加值更高的 HBM、DDR5 等領(lǐng)域。上個(gè)月，SK 海力士宣布推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新產(chǎn)品 12 層（12Hi）HBM4 內(nèi)存，并在全球率先向主要客戶出樣了 12Hi HBM4。

AI 大模型訓(xùn)練催生海量算力需求，HBM 在 DRAM 市場的占比已近 30%，預(yù)計(jì)到 2026 年 HBM4 將推動(dòng)定制化需求爆發(fā)。英偉達(dá)、AMD 的新品發(fā)布周期，與三星、SK 海力士的技術(shù)迭代形成共振，在此背景下，國際存儲龍頭便可在存儲市場的復(fù)蘇浪潮中享受更為豐厚的紅利。