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        單結晶體管(UJT)

        作者: 時間:2025-03-05 來源:EEPW編譯 收藏

        )是一種三端半導體器件,具有負電阻和開關特性,用于相位控制應用中的弛豫振蕩器。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/202503/467610.htm

        (簡稱)是另一種固態(tài)三端器件,可用于門脈沖、定時電路和觸發(fā)發(fā)生器應用,以開關和控制晶閘管和三端雙向可控硅(Triac),用于交流功率控制類型的應用。

        與二極管一樣,由P型和N型半導體材料構成,在器件的主要導電N型溝道內形成一個單一的(因此得名單結)PN結。

        盡管單結晶體管的名字中有“晶體管”,但其開關特性與傳統(tǒng)的雙極型或場效應晶體管非常不同,因為它不能用于放大信號,而是用作開關晶體管。具有單向導電性和負阻抗特性,在擊穿時更像一個可變分壓器。

        與N溝道場效應晶體管(FET)類似,UJT由一塊N型半導體材料構成,形成主要載流溝道,其兩個外部連接標記為基極2(B2)和基極1(B1)。第三個連接,令人困惑地標記為發(fā)射極(E),位于溝道中。發(fā)射極端子由一個箭頭表示,從P型發(fā)射極指向N型基極。

        單結晶體管的發(fā)射極整流PN結是通過將P型材料熔入N型硅溝道形成的。然而,帶有N型發(fā)射極的P溝道UJT也是可用的,但很少使用。

        發(fā)射結沿溝道定位,使其比B1更靠近B2端子。UJT符號中使用了一個箭頭,指向基極,表示發(fā)射極端子為正,硅棒為負材料。下圖顯示了UJT的符號、結構和等效電路。

        單結晶體管符號和結構

         

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        單結晶體管符號

        請注意,單結晶體管的符號與結型場效應晶體管(JFET)的符號非常相似,只是它有一個彎曲的箭頭表示發(fā)射極(E)輸入。盡管它們的歐姆溝道相似,但JFET和UJT的工作方式非常不同,不應混淆。

        那么它是如何工作的呢?我們可以從上面的等效電路中看到,N型溝道基本上由兩個電阻RB2和RB1串聯(lián)組成,中間連接一個等效(理想)二極管D,表示PN結。這個發(fā)射極PN結在制造過程中沿歐姆溝道固定,因此無法更改。

        電阻RB1位于發(fā)射極E和端子B1之間,而電阻RB2位于發(fā)射極E和端子B2之間。由于PN結的物理位置比B1更靠近B2,RB2的電阻值將小于RB1。

        硅棒的總電阻(其歐姆電阻)取決于半導體的實際摻雜水平以及N型硅溝道的物理尺寸,但可以用RBB表示。如果用歐姆表測量,大多數(shù)常見UJT(如2N1671、2N2646或2N2647)的靜態(tài)電阻通常在4kΩ到10kΩ之間。

        這兩個串聯(lián)電阻在單結晶體管的兩個基極端子之間形成一個分壓網(wǎng)絡,由于該溝道從B2延伸到B1,當在器件上施加電壓時,沿溝道任何點的電位將與它在B2和B1端子之間的位置成比例。因此,電壓梯度的水平取決于電源電壓的大小。

        在電路中,端子B1接地,發(fā)射極作為器件的輸入。假設在UJT的B2和B1之間施加電壓VBB,使得B2相對于B1為正偏置。當施加零發(fā)射極輸入時,電阻分壓器RB1(較低電阻)上的電壓可以計算為:

        單結晶體管RB1電壓

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        單結晶體管RB1電壓

        對于單結晶體管,RB1與RBB的電阻比稱為本征分壓比,用希臘符號η(eta)表示。大多數(shù)常見UJT的典型標準η值范圍為0.5到0.8。

        如果現(xiàn)在向發(fā)射極輸入端子施加一個小于電阻RB1(ηVBB)上電壓的小正輸入電壓,二極管PN結將反向偏置,從而提供非常高的阻抗,器件不導通。UJT處于“關閉”狀態(tài),沒有電流流動。

        然而,當發(fā)射極輸入電壓增加并超過VRB1(或ηVBB + 0.7V,其中0.7V等于PN結二極管壓降)時,PN結變?yōu)檎蚱茫瑔谓Y晶體管開始導通。結果是發(fā)射極電流ηIE現(xiàn)在從發(fā)射極流入基極區(qū)域。

        額外的發(fā)射極電流流入基極的效果是減少了發(fā)射結與B1端子之間的溝道電阻部分。RB1電阻值降低到非常低的值意味著發(fā)射結變得更加正向偏置,導致更大的電流流動。這種效果導致發(fā)射極端子出現(xiàn)負電阻。

        同樣,如果施加在發(fā)射極和B1端子之間的輸入電壓降低到擊穿值以下,RB1的電阻值將增加到高值。因此,單結晶體管可以被視為一種電壓擊穿器件。

        因此,我們可以看到RB1呈現(xiàn)的電阻是可變的,并且取決于發(fā)射極電流IE的值。然后,相對于B1正向偏置發(fā)射結會導致更多電流流動,從而減少發(fā)射極E和B1之間的電阻。

        換句話說,流入UJT發(fā)射極的電流導致RB1的電阻值降低,其上的電壓降VRB1也必須降低,允許更多電流流動,產生負電阻條件。

        單結晶體管應用

        現(xiàn)在我們知道單結晶體管是如何工作的,它們可以用于什么。單結晶體管最常見的應用是作為SCR和Triac的觸發(fā)器件,但其他UJT應用包括鋸齒波發(fā)生器、簡單振蕩器、相位控制和定時電路。所有UJT電路中最簡單的是產生非正弦波形的弛豫振蕩器。

        在基本和典型的UJT弛豫振蕩器電路中,單結晶體管的發(fā)射極端子連接到串聯(lián)電阻和電容RC電路的連接點,如下所示。

        單結晶體管弛豫振蕩器

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        UJT弛豫振蕩器

        當首次施加電壓(Vs)時,單結晶體管處于“關閉”狀態(tài),電容器C1完全放電,但開始通過電阻R3指數(shù)充電。由于UJT的發(fā)射極連接到電容器,當電容器上的充電電壓Vc大于二極管壓降值時,PN結表現(xiàn)為正常二極管并變?yōu)檎蚱茫|發(fā)UJT導通。單結晶體管處于“開啟”狀態(tài)。此時,發(fā)射極到B1的阻抗崩潰,發(fā)射極進入低阻抗飽和狀態(tài),發(fā)射極電流通過R1流動。

        由于電阻R1的歐姆值非常低,電容器通過UJT迅速放電,R1上出現(xiàn)快速上升的電壓脈沖。此外,由于電容器通過UJT放電的速度比通過電阻R3充電的速度快,放電時間比充電時間短得多,因為電容器通過低電阻UJT放電。

        當電容器上的電壓降低到PN結的保持點(VOFF)以下時,UJT“關閉”,沒有電流流入發(fā)射結,因此電容器再次通過電阻R3充電,只要施加電源電壓Vs,VON和VOFF之間的充電和放電過程就會不斷重復。

        UJT振蕩器波形

         4.png

        UJT振蕩器波形

        然后我們可以看到,單結振蕩器在沒有反饋的情況下不斷“開啟”和“關閉”。振蕩器的工作頻率直接受充電電阻R3的值(與電容器C1串聯(lián))和η值的影響。從基極1(B1)端子生成的輸出脈沖形狀是鋸齒波形,要調節(jié)時間周期,只需改變電阻R3的歐姆值,因為它設置了充電電容器的RC時間常數(shù)。

        鋸齒波形的時間周期T將給出為電容器的充電時間加上放電時間。由于放電時間τ1通常比較大的RC充電時間τ2短得多,振蕩的時間周期大致等于T ? τ2。因此,振蕩頻率由? = 1/T給出。

        UJT振蕩器示例No1

        2N2646單結晶體管的數(shù)據(jù)表給出的本征分壓比η為0.65。如果使用100nF電容器生成定時脈沖,計算產生100Hz振蕩頻率所需的定時電阻。

        1. 定時周期給出為:

         5.png

        UJT振蕩器周期

        2. 定時電阻R3的值計算為:

         6.png

        UJT定時電阻

        然后,在這個簡單示例中,所需的充電電阻值計算為最接近的優(yōu)選值95.3kΩ。然而,UJT弛豫振蕩器要正確工作,需要滿足某些條件,因為R3的電阻值可能太大或太小。

        例如,如果R3的值太大(兆歐級),電容器可能無法充分充電以觸發(fā)單結晶體管的發(fā)射極導通,但也必須足夠大以確保一旦電容器放電到低于較低觸發(fā)電壓時,UJT能夠“關閉”。

        同樣,如果R3的值太?。◣装贇W姆),一旦觸發(fā),流入發(fā)射極端子的電流可能足夠大,使器件進入飽和區(qū)域,阻止其完全“關閉”。無論哪種情況,單結振蕩器電路都無法振蕩。

        UJT速度控制電路

        上述單結晶體管電路的一個典型應用是生成一系列脈沖以觸發(fā)和控制晶閘管。通過將UJT用作相位控制觸發(fā)電路與SCR或Triac結合,我們可以調節(jié)通用交流或直流電機的速度,如圖所示。

        單結晶體管速度控制

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        UJT速度控制

        使用上述電路,我們可以通過調節(jié)流經(jīng)SCR的電流來控制通用串勵電機(或我們想要的任何類型負載,如加熱器、燈等)的速度。要控制電機的速度,只需改變鋸齒脈沖的頻率,這是通過改變電位器的值來實現(xiàn)的。

        單結晶體管總結

        我們已經(jīng)看到,單結晶體管(簡稱UJT)是一種電子半導體器件,在N型(或P型)輕摻雜歐姆溝道內只有一個PN結。UJT有三個端子,一個標記為發(fā)射極(E),兩個標記為基極(B1和B2)。

        兩個歐姆接觸B1和B2分別連接在半導體溝道的兩端,當發(fā)射極開路時,B1和B2之間的電阻稱為基極間電阻RBB。如果用歐姆表測量,大多數(shù)常見UJT(如2N1671、2N2646或2N2647)的靜態(tài)電阻通常在4kΩ到10kΩ之間。

        RB1與RBB的比值稱為本征分壓比,用希臘符號η(eta)表示。大多數(shù)常見UJT的典型標準η值范圍為0.5到0.8。

        單結晶體管是一種固態(tài)觸發(fā)器件,可用于各種電路和應用,從觸發(fā)晶閘管和Triac到用于相位控制電路的鋸齒波發(fā)生器。UJT的負電阻特性也使其非常有用,可以用作簡單的弛豫振蕩器。

        當連接為弛豫振蕩器時,它可以在沒有諧振電路或復雜RC反饋網(wǎng)絡的情況下獨立振蕩。當以這種方式連接時,單結晶體管能夠通過簡單地改變單個電容器(C)或電阻(R)的值來生成一系列不同持續(xù)時間的脈沖。

        常見的單結晶體管包括2N1671、2N2646、2N2647等,其中2N2646是最流行的UJT,用于脈沖和鋸齒波發(fā)生器以及時間延遲電路。其他類型的單結晶體管器件稱為可編程UJT,其開關參數(shù)可以通過外部電阻設置。最常見的可編程單結晶體管是2N6027和2N6028。



        關鍵詞: 單結晶體管 UJT

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