2月26日消息，ASML Twinscan EXE:5000 EUV是當今世界上最先進的EUV極紫外光刻機，支持High-NA也就是高孔徑，Intel去年搶先拿下了第一臺，目前已經在俄勒岡州Fab D1晶圓廠安裝部署了兩臺，正在緊張地研究測試中。

Intel資深首席工程師Steve Carson透露，迄今為止，兩臺EUV光刻機已經生產了3萬塊晶圓，當然不算很多，但別忘了這只是測試和研究使用的，并非商用量產，足以證明Intel對于新光刻機是多么的重視。

Steve Carson還強調，完成同樣的工作，新款光刻機可以將曝光次數(shù)從3次減少到只需1次，處理步驟也從40多個減少到不足10個，從而大大節(jié)省時間和成本。

Intel曾透露，新光刻機的可靠性是上代的大約兩倍，但沒有透露具體數(shù)據。

ASML EXE:5000光刻機單次曝光的分辨率可以做到8nm，比前代Low-NA光刻機的13.5nm提升了多達40％，晶體管密度也提高了2.9倍。

當然，Low-AN光刻機也能做到8nm的分辨率，但需要兩次曝光，無論時間、成本還是良品率都不夠劃算。

全速率量產的情況下，ASML EXE:5000光刻機每小時可生產400-500塊晶圓，而現(xiàn)在只有200塊，效率提升100-150％之多。

Intel將會使用High-NA EUV光刻機生產14A也就是1.4nm級工藝產品，但具體時間和產品未定，有可能在2026年左右量產，或許用于未來的Nova Lake、Razer Lake。

將在今年下半年量產的Intel 18A 1.8nm工藝，仍舊使用現(xiàn)有的Low-NA EUV光刻機，對應產品包括代號Panther Lake的下代酷睿、代號Clearwater Forest的下代至強。

二者都已經全功能正常運行，并開展了客戶測試。