據(jù)韓媒報道，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術(shù)，特別是在新的先進封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協(xié)議，達成合作。

據(jù)悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開始量產(chǎn)的下一代NAND，該產(chǎn)品預計將具有約420至430層。將采用多項新技術(shù)，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)。

據(jù)了解，長江存儲是最早將混合鍵合應用于3D NAND的企業(yè)，并將這項技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨立加工負責數(shù)據(jù) I/O 及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝，以讓 NAND 獲取更高的 I/O 接口速度及更多的操作功能。

在創(chuàng)業(yè)初期，長江存儲通過與美國科技公司Xperi簽署許可協(xié)議獲得了混合鍵合技術(shù)的原始專利。隨后，長江存儲還在NAND封裝技術(shù)方面建立了相當多的自主專利，在相關技術(shù)上擁有強大的專利積累。