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        電子堆疊新技術(shù)造出多層芯片

        作者: 時(shí)間:2024-12-20 來源:SEMI 收藏

        據(jù)科技日?qǐng)?bào)消息,近日,美國(guó)麻省理工學(xué)院團(tuán)隊(duì)在最新一期《自然》雜志上介紹了一種創(chuàng)新的技術(shù)。該技術(shù)能顯著增加芯片上的晶體管數(shù)量,從而推動(dòng)人工智能(AI)硬件發(fā)展更加高效。通過這種新方法,團(tuán)隊(duì)成功制造出了,其中高質(zhì)量半導(dǎo)體材料層交替生長(zhǎng),直接疊加在一起。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/202412/465672.htm

        據(jù)悉,工程師們開發(fā)了一種新的設(shè)計(jì)方案,摒棄了對(duì)硅基板的依賴,并確保操作溫度保持在較低水平以保護(hù)底層電路。這種方法允許高性能晶體設(shè)計(jì)方案,摒棄了對(duì)硅基板的依賴,并確保操作溫度保持在較低水平以保護(hù)底層電路。這種方法允許高性能晶管、內(nèi)存以及邏輯元件可以在任何隨機(jī)晶體表面上構(gòu)建,而不再局限于傳統(tǒng)的硅基底。使各半導(dǎo)體層之間可以更直接地接觸,進(jìn)而改善層間通信質(zhì)量與速度,提升計(jì)算性能。

        這項(xiàng)技術(shù)有望用于制造筆記本電腦、可穿戴設(shè)備中的AI硬件,其速度和功能性將媲美當(dāng)前的超級(jí)計(jì)算機(jī),并具備與實(shí)體數(shù)據(jù)中心相匹配的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。這項(xiàng)突破為半導(dǎo)體行業(yè)帶來了巨大潛力,使芯片能夠超越傳統(tǒng)限制進(jìn)行堆疊,極大提升了人工智能、邏輯運(yùn)算及內(nèi)存應(yīng)用的計(jì)算能力。



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