12月9日消息，針對(duì)外界的傳聞，長(zhǎng)江存儲(chǔ)公開回應(yīng)稱，他們沒有上市的打算。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布聲明稱，近期多家媒體捏造、散布和傳播長(zhǎng)江存儲(chǔ)“借殼上市”的不實(shí)傳聞。為澄清事實(shí)，我司發(fā)表聲明如下：

一、長(zhǎng)江存儲(chǔ)從無任何“借殼上市”的意愿。     

二、長(zhǎng)江存儲(chǔ)與“萬潤(rùn)科技”等上市公司無直接業(yè)務(wù)合作。

三、請(qǐng)相關(guān)單位自重并立即停止一切失實(shí)報(bào)道。我司將保留追究相關(guān)單位法律責(zé)任的權(quán)利。

作為國產(chǎn)存儲(chǔ)之光，之前有消息稱長(zhǎng)江存儲(chǔ)在面臨美國出口限制和被列入實(shí)體清單的雙重壓力下，已成功采用國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備替代部分美系設(shè)備。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)自研Xtacking架構(gòu)可讓3D NAND的層數(shù)堆疊到232層，即使與美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有極強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)使用中微半導(dǎo)體設(shè)備公司的蝕刻設(shè)備、北方華創(chuàng)的沉積與蝕刻設(shè)備，以及拓荊科技的沉積設(shè)備，成功制造出3D NAND閃存芯片。