據(jù)中國科學院微電子研究所官網(wǎng)消息，近日，微電子研究所EDA中心陳睿研究員與先導中心李俊杰高級工程師、南方科技大學王中銳教授、維也納工業(yè)大學Lado Filipovic教授合作，針對GAA內(nèi)側墻結構Si/SiGe疊層橫向選擇性刻蝕工藝面臨的形貌缺陷和均勻性問題，通過提出全新的Ge原子解吸附和擴散的模擬算法，建立了基于蒙特卡洛方法的連續(xù)兩步干法刻蝕工藝輪廓仿真模型，實現(xiàn)了針對Si/SiGe六疊層結構的橫向選擇性刻蝕工藝輪廓仿真，并完成了相應結構的流片實驗。

通過結合形貌仿真和透射電子顯微鏡（TEM）表征，探究了Ge層刻蝕表面圓化現(xiàn)象，以及腔體氣壓等參數(shù)對刻蝕形貌均勻性的影響機制。該項工作為闡明新原理刻蝕工藝機理和優(yōu)化工藝性能提供了理論和實驗參考。研究成果近期發(fā)表在材料領域頂級期刊《Small》上，同時入選TCAD仿真領域旗艦會議SISPAD 2024口頭報告。此外，相關研究成果還發(fā)表在《ACS Applied Electronic Materials》、《Journal of Vacuum Science & Technology A》 等期刊上。該項研究得到了中國科學院戰(zhàn)略性A類先導專項、國家自然科學基金的支持。

圖1 建模流程

圖2 不同氣壓條件下的Si/SiGe六疊層iso/dense結構刻蝕實驗與仿真結果