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        ABLIC推出面向智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備的1節(jié)電池保護(hù)IC「S-821A/1B系列」

        —— 通過正端保護(hù),確保鋼殼電池的安全性和可靠性
        作者: 時間:2024-10-31 來源:EEPW 收藏

        美蓓亞三美株式會社(MinebeaMitsumi Inc.) 旗下的有限公司(總裁:田中誠司,總部地址:東京都港區(qū),下稱“”)今天推出使用N溝道MOSFET(※1)實(shí)現(xiàn)正端保護(hù)(※2)的1節(jié)「S-821A/1B系列」。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/202410/464181.htm

        今天推出的新產(chǎn)品「S-821A/1B系列」是1節(jié)鋰離子,具有以下特點(diǎn):(1)通過將進(jìn)行充放電控制的N溝道MOSFET配置在鋰離子電池的正極側(cè)(正端),實(shí)現(xiàn)切斷電池正極側(cè)電流路徑的保護(hù)方式,同時,電池組側(cè)和系統(tǒng)側(cè)的共地為簡化系統(tǒng)設(shè)計做出貢獻(xiàn)。另外,由于內(nèi)置有業(yè)界最高等級的3倍升壓充電泵,所以N溝道MOSFET的驅(qū)動電壓高,降低了N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻;(2)備有業(yè)界頂級精度的放電過電流保護(hù)(3段),能夠在安全的領(lǐng)域切斷異常電流;(3)過充電檢測電壓精度為±15mV,實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級的高精度化;(4)通過節(jié)電功能,在禁止電池放電的同時,將保護(hù)IC的消耗電流降低到最大50nA,將電池的消耗電流抑制為近乎于0;(5)通過將NTC熱敏電阻與熱敏電阻連接端子(TH端子)連接,能夠?qū)崿F(xiàn)過熱保護(hù)功能。

        (※1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor /金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)
        (※2) 正端保護(hù):在電池的正極側(cè)與負(fù)載之間插入MOSFET,發(fā)生異常時通過關(guān)閉MOSFET來切斷通電路徑,保護(hù)電路及設(shè)備

        Figure Example protection circuit using the S-821A Series

        【主要特點(diǎn)】

        1.實(shí)現(xiàn)N溝道正端保護(hù)

        2.通過3段放電過電流保護(hù),實(shí)現(xiàn)更高的安全性

        3.過充電檢測電壓精度為±15mV,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級的高精度

        4.通過節(jié)電功能可以抑制消耗電流

        5. 通過連接NTC熱敏電阻,實(shí)現(xiàn)過熱保護(hù)功能

        ABLIC推出面向智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備的1節(jié)電池保護(hù)IC「S-821A/1B系列」 - 通過正端保護(hù),確保鋼殼電池的安全性和可靠性 -

        【應(yīng)用案例】

        鋰離子可充電電池組、鋰聚合物可充電電池組



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