IT之家 9 月 3 日消息，中國臺灣《工商時報》今天報道稱，臺積電 CoW-SoW 預計 2027 年量產(chǎn)。為提升良率，英偉達需要重新設(shè)計 GPU 頂部金屬層和凸點。

不只是 AI 芯片需要 RTO（重新流片）修改設(shè)計，@手機晶片達人 表示英偉達正準備發(fā)布的 RTX 50 系列消費級顯卡 GPU 也需要 RTO，故上市時間有所推遲。

英偉達 Blackwell 被黃仁勛稱為「非常非常大的 GPU」，當然它確實也是目前業(yè)界面積最大的 GPU，由兩顆 Blackwell 芯片拼接而成，采用臺積電 4nm 制程，擁有 2080 億個晶體管。也正因此，這類芯片難免會遇到封裝方式過于復雜的問題。

臺積電的 CoWoS-L 封裝技術(shù)需使用 LSI（本地互連）橋接 RDL（硅中介層）連接芯粒，傳輸速度可達 10TB/s 左右，不過由于封裝步驟中橋接精度要求極高，稍有缺陷便有可能導致這顆價值 4 萬美元（IT之家備注：當前約 28.4 萬元人民幣）的芯片報廢，從而影響良率及成本。

法人透露，由于 GPU 芯粒、LSI 橋接、RDL 中介層和主基板之間的熱膨脹系數(shù)（CTE）相異，導致芯片翹曲、系統(tǒng)故障，故英偉達需重新設(shè)計 GPU 頂部金屬層和凸點，以提高封裝良率。

當然，這類問題不只是英偉達存在，只是英偉達出貨量較高，所以更敏感。供應鏈透露，這類問題只會越來越多，而這種為了消除缺陷或為提高良率而變更芯片設(shè)計的方式在業(yè)內(nèi)相當常見。AMD CEO 蘇姿豐也曾透露，隨著芯片尺寸不斷擴大，制造復雜度將不可避免地增加，次世代芯片需要在效能和功耗方面取得突破，才能滿足 AI 數(shù)據(jù)中心對算力的巨大需求。

為應對此類大芯片趨勢、及 AI 負載需要更多 HBM，臺積電計劃結(jié)合 InFO-SoW 和 SoIC 為 CoW-SoW，將存儲芯片或邏輯芯片堆疊于晶圓上，并預計于 2027 年實現(xiàn)量產(chǎn)。