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        誰是下一個晶圓代工“最強王者”?

        作者: 時間:2024-05-06 來源:科技新報 收藏

        近日,在年度技術(shù)論壇北美場發(fā)布埃米級先進制程,2026年量產(chǎn),不僅較競爭對手英特爾Intel 14A,以及三星SF14都是2027年量產(chǎn)早,且強調(diào)還不需用到High-NA EUV,成本更具競爭力,市場樂觀看待進入埃米時代第一戰(zhàn)有豐碩戰(zhàn)果。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/202405/458334.htm

        臺積電量產(chǎn)時間與成本或?qū)㈩I(lǐng)先競爭對手

        根據(jù)臺積電表示,A16先進制程將結(jié)合超級電軌(Super PowerRail)與納米片晶體管,2026年量產(chǎn)。超級電軌將供電網(wǎng)絡移到晶圓背面,晶圓正面釋出更多訊號網(wǎng)絡空間,提升邏輯密度和效能,適用復雜訊號布線及密集供電網(wǎng)絡的高效能運算(HPC)產(chǎn)品。

        相較臺積電N2P制程,A16相同Vdd(工作電壓)下,速度增加8%~10%,相同速度功耗降低15%~20%,芯片密度提升高達1.1倍,支援數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品。

        另外,因為AI芯片公司迫切希望最佳化設計,以發(fā)揮臺積電制程全部性能,因此,臺積電也認為不需用到阿斯麥(ASML)最新高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV來生產(chǎn)A16制程芯片。此外,臺積電還展示2026年啟用的超級電軌供電,從芯片背面供電,可以幫助AI芯片加速運行。

        英特爾Intel 14A延續(xù)“四年五節(jié)點”布局

        今年2月,英特爾公布“四年五節(jié)點”后Intel 14A制程,導入High-NA EUV生產(chǎn)后,Intel 14A會比Intel 18A能耗效率提升15%,晶體管密度會提升20%。強化版Intel 14A-E也會在Intel 14A基礎(chǔ)上提升5%能耗。照計劃,Intel 14A最快2026年量產(chǎn),Intel 14A-E要到2027年。

        而近日,英特爾也宣布完成業(yè)界首臺商用高數(shù)值孔徑極紫外光刻機設備(High NA EUV)組裝。由光刻技術(shù)大廠阿斯麥TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV光刻設備,開始多項校準,2027年啟用、生產(chǎn)Intel 14A制程。英特爾強調(diào),當High-NA EUV光刻設備與自家服務的其他領(lǐng)先制程技術(shù)相結(jié)合時,打印尺寸比現(xiàn)有EUV機臺縮小1.7倍,因2D尺寸縮小,密度提高2.9倍,協(xié)助英特爾推展制程藍圖。

        三星SF1.4增加納米片,改善性能與功耗

        相對于臺積電與英特爾,媒體報導,三星兩年前在Samsung Foundry Forum 2022就層公布先進制程藍圖,埃米級SF1.4(1.4納米)2027年量產(chǎn)。三星高層透露,正在開發(fā)SF1.4納米片量從三個增至四個,有望改善性能和功耗。

        三星2022年6月宣布量產(chǎn)SF3E(3納米GAA)后,導入全新GAA(Gate-All-Around)架構(gòu),今年公布SF3(3納米GAP)第二代3納米制程,使用第二代多橋通道場效應晶體管(MBCFET),原有SF3E基礎(chǔ)上性能最佳化,還有性能增強型SF3P(3GAP+),適合制造高性能芯片。到2025年,三星會大規(guī)模量產(chǎn)SF2(2納米)制程,2027年量產(chǎn)SF1.4(1.4納米)制程。

        三星希望增加每個晶體管納米片數(shù)量,強化驅(qū)動電流、提高性能,更多納米片允許更高電流通過晶體管,增強開關(guān)能力和操作速度。更多納米片也更能控制電流,有助減少漏電,降低功耗。改善電流控制,代表晶體管產(chǎn)生更少熱量。




        關(guān)鍵詞: 晶圓代工 臺積電 A16

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