臺(tái)積電的先進(jìn)制程技術(shù)遙遙領(lǐng)先其他競爭對(duì)手，也獲得全球大客戶肯定。不過南韓三星電子仍努力追趕，想要分一杯羹。據(jù)最新爆料，三星的3納米良率已大幅提升到原本的3倍，但仍是落后臺(tái)積電。

科技網(wǎng)站W(wǎng)ccftech引述知名爆料者Revegnus在社群平臺(tái)X（前身為推特）的發(fā)文報(bào)導(dǎo)，三星的3納米制程良率一開始雖然只有10～20%，但最近已拉升至3倍以上。

盡管三星如今3納米制程良率已達(dá)30~60%之間，但Revegnus直言，相較于使用FinFET制程的臺(tái)積電，三星的良率數(shù)據(jù)依然偏低。不過三星對(duì)于第二代3納米制程寄予厚望，據(jù)傳其效能、功耗及面積（Performance、Power、Area；PPA）相當(dāng)于臺(tái)積電的N3P。

Revegnus還表示，據(jù)消息人士透露，三星3納米制程的能源效率、邏輯區(qū)域，都較4納米4納米FinFET改善20～30%。

[Exclusive] Samsung's 3nm Yield-related News

Currently, Samsung's 3nm yield, which initially hovered around 10-20%, has recently improved by over threefold.

Of course, this figure remains lower compared to TSMC, which still utilizes FinFET technology.

However, Samsung has high…

— Revegnus (@Tech_Reve) March 22, 2024

不過Wccftech在報(bào)導(dǎo)中直言，隨著臺(tái)積電今年積極將3納米晶圓產(chǎn)能擴(kuò)大到每月約10萬片的規(guī)模，三星幾乎沒有機(jī)會(huì)趕上，「在過去的幾年里，這家臺(tái)灣半導(dǎo)體巨頭（臺(tái)積電）在這個(gè)領(lǐng)域幾乎看不到競爭」。

報(bào)導(dǎo)中指出，三星必須將良率進(jìn)一步提高70%，才能重拾高通等先前客戶的信心。不過到目前為止，三星的3納米GAA芯片只有加密挖礦行業(yè)客戶的訂單，并沒有加入更多其他客戶。很可能是因?yàn)樵S多公司對(duì)三星的早期樣品印象不佳，因此決定在可預(yù)見的未來繼續(xù)使用臺(tái)積電。三星雖仍致力于做出調(diào)整，但要對(duì)其代工勁敵臺(tái)積電構(gòu)成威脅還需要一段時(shí)間。