外媒eNewsEurope報(bào)道，英特爾和臺(tái)積電將在國際電子元件會(huì)議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場(chǎng)效晶體管進(jìn)展，這有望使CFET成為十年內(nèi)最可能接替全環(huán)繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進(jìn)制程。

CFET場(chǎng)效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起，以實(shí)現(xiàn)更高的密度。該項(xiàng)技術(shù)最初由比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。雖然，大多數(shù)早期研究以學(xué)術(shù)界為主，但英特爾和臺(tái)積電等半導(dǎo)體企業(yè)現(xiàn)在已經(jīng)開始這一領(lǐng)域的研發(fā)，借此積極探索這種下一代先進(jìn)晶體管技術(shù)。

英特爾表示，研究員建構(gòu)一個(gè)單片3DCFET，含三個(gè)n-FET納米片，層疊在三個(gè)p-FET納米片上，保持30納米垂直間隙，英特爾公司在題為 "60納米柵極間距的堆疊式CMOS逆變器演示（帶電源通路和直接背面器件觸點(diǎn)）"的演講中將介紹利用60納米柵極間距CFET的功能性逆變器測(cè)試電路。該技術(shù)還采用了垂直分層雙電源漏外延和雙金屬柵極堆疊，并結(jié)合PowerVia背后供電等技術(shù)。

為了不被對(duì)手超越，臺(tái)積電也會(huì)展示CFET技術(shù)。據(jù)悉，臺(tái)積電客制邏輯芯片具有48納米柵極間距，專注放在p型晶體管上的分層n型納米片晶體管，擁有跨越六個(gè)等級(jí)的開關(guān)電流比。

臺(tái)積電表示，CFET晶體管已證明耐用性超過90%，且成功通過測(cè)試。雖然臺(tái)積電承認(rèn)需要研究更多，才能充分利用CFET技術(shù)，但目前正在進(jìn)行的工作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的關(guān)鍵一步。