在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關器件，特別是SiC MOSFET，已經從一個研究課題演變成一個重要的商業(yè)化產品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動車（BEV）驅動系統(tǒng)中采用，但現(xiàn)在，越來越多的應用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設備和系統(tǒng)設計中都必須評估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么，你從哪里開始呢？

工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快，或者IGBT模塊將雙極達林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。

電力電子的驅動力一直是降低損耗、小型化和提高可靠性。預計這將繼續(xù)下去。那么，是否有必要匆匆忙忙地將每個設計盡快從硅（Si）轉換到SiC？IGBT是否會像幾十年前的雙極達林頓一樣完全從市場上消失？

今天的電力電子應用比80年代和90年代的應用更加多樣化，功率半導體的市場也更大。因此，從Si到SiC的有序的部分替代比所有應用的顛覆性改變更現(xiàn)實。然而，這在具體的應用中取決于SiC為該應用提供的價值。

SiC如何為電力電子設計提供價值？

在使用電感器或變壓器的功率變換系統(tǒng)中，SiC可以提高開關頻率，從而使電感元件更小、更輕，并最終降低成本，這是SiC MOSFET進入光伏逆變器的重要原因。幾年前，SiC MOSFET開始應用在ANPC拓撲結構中，是1500V光伏系統(tǒng)很好的設計方案。這種拓撲結構提高了開關頻率，其中只有三分之一的功率器件采用了SiC MOSFET，系統(tǒng)性價比高。

但并非所有的應用都能從提高開關頻率中受益。在通用變頻器（GPD）應用中，由于沒有電感元件可以從更高的開關頻率中受益。即使在今天使用的不太高的調制頻率下，電機電流也已經是幾乎完美正弦的了。但是，SiC也可以用來減少導通損耗。與IGBT和二極管不一樣，只要應用通常的PWM模式下，SiC MOSFET在兩個方向都具有“無拐點電壓”的特性。因此，如果使用足夠大的芯片面積，就可以實現(xiàn)導通損耗的大幅降低。這使得設計集成在電機中的驅動器成為可能。它可以集成到密封的機箱內，并采用自然冷卻。此外，長時間內工作在輕載的應用，可以利用“無拐點電壓”的特點來降低能耗和總擁有成本（TCO）。

如果體二極管可以用作續(xù)流二極管，如英飛凌CoolSiC? MOSFET，這將提供另一個對某些驅動器很重要的好處。無論功率流方向如何，功率耗散將始終在同一個芯片中，從而大大減少與功率循環(huán)有關的溫度波動。

圖1：體二極管的同步整流

有時，更高的溫度運行被宣稱為SiC的一個好處。在需要在高溫環(huán)境下散熱的應用中，這將是一個重要的特性，但前提是封裝和其他系統(tǒng)元件也要適合這種環(huán)境。

總結一下：

當一個應用可以從Si到SiC的切換中受益時，以正確的策略進行切換是很重要的。但是簡單粗暴的切換可能無法充分利用新的半導體材料的潛力，即使它的工作沒有問題。應該考慮盡量減少直流母線連接和柵極驅動器上的雜散電感，而且在大多數(shù)情況下，保護方案也需要調整。由于這需要時間，開發(fā)項目應盡早開始，即使目前SiC的供應情況看起來很緊張。