作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會(huì)和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。

三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示："市場(chǎng)對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求，推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會(huì)發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿(mǎn)足快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案，有望成為未來(lái)存儲(chǔ)創(chuàng)新的基礎(chǔ)。"

通過(guò)這項(xiàng)技術(shù)，三星顯著的提升每片晶圓的存儲(chǔ)密度，使三星的存儲(chǔ)密度達(dá)到了新的高度?；谧钚翹AND閃存標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR 5.0接口^*的三星第8代V-NAND，其輸入和輸出（I/O）速度高達(dá)2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，這可以滿(mǎn)足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。

三星第8代V-NAND有望成為存儲(chǔ)配置的基石，幫助擴(kuò)展下一代企業(yè)服務(wù)器的存儲(chǔ)容量，同時(shí)其應(yīng)用范圍還將拓展至可靠性尤為重要的車(chē)載市場(chǎng)。

*編者按：Toggle DDR接口版本——1.0（133Mbps）、2.0（400Mbps）、3.0（800Mbps）、4.0（1200Mbps）和5.0（2400Mbps）