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        東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

        作者: 時(shí)間:2021-11-30 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

        東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/中用作絕緣柵極驅(qū)動(dòng)IC。這兩款器件于近日開始支持批量出貨。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/202111/430001.htm

        TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米(最大值)的薄性封裝(SO6L)可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進(jìn)行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設(shè)備,現(xiàn)在可直接通過(guò)該光耦驅(qū)動(dòng)其IGBT/而無(wú)需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)小型化。

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        TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可兼容東芝傳統(tǒng)的SDIP6封裝的焊盤[1],便于替代東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄,能夠?yàn)殡娐钒褰M件布局提供更高的靈活性,并支持電路板背面安裝,或用于器件高度受限的新型電路設(shè)計(jì)。

        這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達(dá)到125℃(Ta=-40℃至125℃),使其更容易設(shè)計(jì)和保持溫度裕度。

        此外,東芝提供的同系列器件還包括TLP5702H(LF4)與TLP5705H(LF4),采用SO6L(LF4)封裝的引線成型選項(xiàng)。

        ※   應(yīng)用:

        工業(yè)設(shè)備

        -     工業(yè)逆變器、交流伺服驅(qū)動(dòng)器、光伏逆變器、UPS等。

        ※   特性:

        -     高峰值輸出電流額定值(@Ta=-40℃至125℃)

        IOP=±2.5A(TLP5702H)

        IOP=±5.0A(TLP5705H)

        -     薄型SO6L封裝

        -     高工作溫度額定值:Topr(最大值)=125℃

        ※   主要規(guī)格:

        (除非另有說(shuō)明,@Ta=-40℃至125℃)

        器件型號(hào)

        TLP5702H

        TLP5705H

        TLP5702H

        (LF4)

        TLP5705H

        (LF4)

        封裝

        名稱

        SO6L

        SO6L(LF4)

        尺寸(毫米)

        10×3.84(典型值),

        厚度:2.3(最大值)

        11.05×3.84(典型值),

        厚度:2.3(最大值)

        絕對(duì)最大額定值

        工作溫度Topr(℃)

        -40至125

        峰值輸出電流IOPH/IOPL(A)

        ±2.5

        ±5.0

        ±2.5

        ±5.0

        電氣特性

        峰值高電平輸出電流

        IOPH最大值(A)

        @IF=5mA,

        VCC=15V,

        V6-5=-7V

        -2.0

        峰值低電平輸出電流

        IOPL最小值(A)

        @IF=0mA,

        VCC=15V,

        V5-4=7V

        2.0

        峰值高電平輸出電流(L/H)

        IOLH最大值(A)

        @IF=0→10mA,

        VCC=15V,

        Cg=0.18μF,

        CVDD=10μF

        -3.5

        -3.5

        峰值低電平輸出電流(H/L)

        IOHL最小值(A)

        @IF=10→0mA,

        VCC=15V,

        Cg=0.18μF,

        CVDD=10μF

        3.0

        3.0

        電源電壓VCC(V)

        15至30

        電源電流ICCH,ICCL最大值(mA)

        3.0

        輸入電流閾值(L/H)

        IFLH最大值(mA)

        5

        開關(guān)特性

        傳播延遲時(shí)間

        tpHL,tpLH最大值(ns)

        200

        脈寬失真

        |tpHL–tpLH|最大值(ns)

        50

        傳播延遲差

        (器件到器件)

        tpsk(ns)

        -80至80

        共模瞬變抗性

        CMH,CML最小值(kV/μs)

        @Ta=25℃

        ±50

        隔離特性

        隔離電壓

        BVS最小值(Vrms)

        @Ta=25℃

        5000

        注:

        [1] 封裝高度:4.25毫米(最大值)

        [2] 現(xiàn)有產(chǎn)品:采用SDIP6封裝的TLP700H



        關(guān)鍵詞: MOSFET

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