恩智浦半導體（ NXP Semiconductors N.V.，納斯達克代碼：NXPI）宣布，將氮化鎵（GaN）技術集成至其多芯片模塊平臺中，這是5G能效領域的一個重要行業(yè)里程碑。恩智浦位于亞利桑那州的GaN晶圓廠是美國最先進的專業(yè)生產(chǎn)射頻功率放大器的晶圓廠，基于公司對該晶圓廠的大量投資，恩智浦率先推出5G大規(guī)模MIMO射頻解決方案。該解決方案結(jié)合了GaN的高效率與多芯片模塊的緊湊性。

●   用于5G基礎設施的恩智浦多芯片模塊中的GaN性能可將效率提高8個百分點

●   縮小基站射頻單元尺寸，減輕重量；加快5G系統(tǒng)的設計和部署

●   恩智浦整合了多項技術，以實現(xiàn)最優(yōu)性能

減少能耗是電信基礎設施的一個主要目標，其中每一點效率都至關重要。在多芯片模組中使用GaN可在2.6 GHz頻率下將產(chǎn)品組合效率提高到 52%，比公司上一代模塊高出8個百分點。恩智浦通過在單個器件中采用專利組合LDMOS和GaN技術，進一步提高了性能，可提供400 MHz的瞬時帶寬，僅用一個功率放大器即可完成寬帶射頻設計。

恩智浦小尺寸5G多芯片模組現(xiàn)在可實現(xiàn)上述能效和寬帶性能。新的產(chǎn)品組合將助力射頻開發(fā)人員減少基站射頻單元的尺寸和重量，幫助移動網(wǎng)絡運營商降低在蜂窩塔和屋頂部署5G的成本。在單個封裝中，模組集成了多級發(fā)射鏈、50歐姆輸入/輸出匹配網(wǎng)絡和Doherty設計，并且恩智浦現(xiàn)在使用其最新的SiGe技術添加了偏置控制。這一新的集成步驟使得無需再使用單獨的模擬控制IC，即可對功率放大器性能提供更嚴密的監(jiān)控和優(yōu)化。

恩智浦執(zhí)行副總裁兼無線電功率業(yè)務部總經(jīng)理Paul Hart 表示：“恩智浦開發(fā)了專用于5G基礎設施的獨特技術工具箱，包括專有的LDMOS、GaN和SiGe以及先進封裝和射頻設計IP。這讓我們能夠利用每個元件的優(yōu)勢并針對每個用例以最優(yōu)方式將這些優(yōu)勢結(jié)合在一起。”

與上一代模塊一樣，新的器件均引腳兼容。射頻工程師可以在多個頻段和功率級擴展單個功率放大器設計，縮短設計周期時間，從而在全球加速推出5G。

供貨時間

恩智浦新型5G多芯片模塊將在第三季度供應樣品，并在今年晚些時候開始量產(chǎn)。恩智浦將推出基于這些產(chǎn)品的RapidRF系列射頻模擬前端（參考）設計，有助于加快5G系統(tǒng)的設計。

恩智浦的5G接入邊緣技術產(chǎn)品組合
從天線到處理器，恩智浦提供了強大的技術產(chǎn)品組合以加快5G部署，為基礎設施、工業(yè)和汽車應用提供一流的性能和安全性。其中包括恩智浦的Airfast射頻功率解決方案系列，以及Layerscape系列多核處理器，適用于無線數(shù)據(jù)鏈路、固定無線接入和小型基站設備。