做為國(guó)內(nèi)最大也是最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造公司，中芯國(guó)際在先進(jìn)工藝上的進(jìn)展引人關(guān)注，其中7nm及以下節(jié)點(diǎn)非常重要，這還牽涉到EUV光刻機(jī)。

　　日前有股民在互動(dòng)平臺(tái)上詢問(wèn)，稱有報(bào)道指出中芯國(guó)際不用EUV光刻就攻克了類7nm工藝，要求中芯國(guó)際澄清。

　　對(duì)此，中芯國(guó)際表示，公司不針對(duì)傳言進(jìn)行評(píng)論。

　　從中芯國(guó)際官網(wǎng)的介紹來(lái)看，該公司提到的最先進(jìn)工藝還是14nm，接下來(lái)的是N+1、N+2工藝，但沒(méi)有指明具體的工藝節(jié)點(diǎn)。

　　中芯國(guó)際聯(lián)合CEO趙海軍曾表示，經(jīng)過(guò)三年的積累，F(xiàn)inFET工藝已經(jīng)取得了不錯(cuò)的成績(jī)，N+1已經(jīng)進(jìn)入了風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，但是在外部因素的影響下，去年四季度起FinFET的產(chǎn)能利用率不足，爬坡需要時(shí)間，營(yíng)收奉獻(xiàn)尚未達(dá)到預(yù)期水準(zhǔn)，折舊又對(duì)公司整體的盈利造成了負(fù)擔(dān)。