臺(tái)積電 28nm 產(chǎn)能罕見滿載，中芯轉(zhuǎn)單效應(yīng)提前發(fā)酵
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據(jù)臺(tái)媒 DigiTimes 報(bào)道，供應(yīng)鏈表示，臺(tái)積電28nm 制程產(chǎn)能利用率過去始終未達(dá)預(yù)期，第4季度出現(xiàn)多年未見的滿載情況。
本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/202011/419975.htm
報(bào)道指出，其中，高通（Qualcomm），博通（Broadcom）將原在中芯28nm 制程生產(chǎn)的產(chǎn)品提早轉(zhuǎn)移過來，成為臺(tái)積電28nm 產(chǎn)能利用率達(dá)100% 的主要原因。
與目前的5nm、7nm 工藝相比，28nm、40/45nm 盡管已推出較長(zhǎng)時(shí)間，但它們?nèi)栽诶^續(xù)發(fā)揮作用，并在臺(tái)積電營(yíng)收中占有較大比重。
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