據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。

供應(yīng)鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET），臺(tái)積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場(chǎng)效電晶體（MBCFET）架構(gòu)。

據(jù)悉，臺(tái)積電去年成立了2nm專(zhuān)案研發(fā)團(tuán)隊(duì)，尋找可行路徑進(jìn)行開(kāi)發(fā)。

考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問(wèn)題。

極紫外光（EUV）微顯影技術(shù)的提升，使臺(tái)積電研發(fā)多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關(guān)鍵技術(shù)更為成熟，良率提升進(jìn)度較預(yù)期順利。

臺(tái)積電此前透露2nm研發(fā)生產(chǎn)將在新竹寶山，規(guī)劃P1到P4四個(gè)超大型晶圓廠(chǎng)，占地90多公頃。