科學(xué)家正在努力，希望開發(fā)出下一代數(shù)據(jù)存儲材料，以提高現(xiàn)有存儲速度。

據(jù)英國《自然·物理學(xué)》雜志近日發(fā)表的一項(xiàng)研究，一個(gè)美國聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)利用層狀二碲化鎢制成了二維（2D）金屬芯片，其厚度僅三個(gè)原子，其可代替硅芯片存儲數(shù)據(jù)，且比硅芯片更密集、更小、更快，也更節(jié)能，同時(shí)儲存速度提高了100倍之多。

研究人員對二碲化鎢薄層結(jié)構(gòu)施加微小電流，使其奇數(shù)層相對于偶數(shù)層發(fā)生穩(wěn)定的偏移，并利用奇偶層的排列來存儲二進(jìn)制數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)寫入后，他們再通過一種稱為貝利曲率的量子特性，在不干擾排列的情況下讀取數(shù)據(jù)。

與現(xiàn)有的基于硅的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)相比，新系統(tǒng)具有巨大優(yōu)勢——它可以將更多的數(shù)據(jù)填充到極小的物理空間中，并且非常節(jié)能。此外，其偏移發(fā)生得如此之快，以至于數(shù)據(jù)寫入速度可以比現(xiàn)有技術(shù)快100倍。

對超薄層進(jìn)行非常小的調(diào)整，就會對它的功能特性產(chǎn)生很大的影響，而人們可以利用這一知識來設(shè)計(jì)新型節(jié)能設(shè)備，以實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展和更智慧的未來存儲方式。