簡介

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體提供了采用串行（I²C和SPI）和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品，目前4Kb至4Mb的產(chǎn)品也已量產(chǎn)。 

富士通正在為客戶評估提供工程研發(fā)樣品或生產(chǎn)樣品。請確認(rèn)我們的 FRAM產(chǎn)品陣列 ，如果您想獲得樣品 ，請?zhí)顚憽?a style="text-decoration: none;">FRAM樣品/文檔申請咨詢表”申請樣品和/或文件。

FRAM的優(yōu)勢

與SRAM相比

獨立的FRAM存儲器，因為具有Pseudo-SRAM I/F，因此與SRAM之間具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM，您可以獲得的優(yōu)勢如下：

1. 總的成要縮減

采用SRAM，你需要檢測其電池狀態(tài)。但是FRAM卻讓你免去了進(jìn)行電池檢測的困擾。而且，F(xiàn)RAM不需要電池槽、防倒流二極管和更多的空間，而這些都是SRAM所需的。FRAM的單芯片解決方案可以節(jié)省空間和成本。

●   維護(hù)自由；無需更換電池

●   縮小的器件尺寸；可以省去大量的器件

2.環(huán)保型產(chǎn)品（減少了環(huán)境負(fù)擔(dān)）

用過的電池成為工業(yè)廢料。在生產(chǎn)過程中，與SRAM相比，F(xiàn)RAM能夠降低一半的CO2排放量。FRAM對于環(huán)保有益。

●   無廢棄電池

●   降低工業(yè)負(fù)荷，實現(xiàn)環(huán)保

與E2PROM/閃存相比

與傳統(tǒng)的非易失性存儲器，如E2PROM和閃存相比，F(xiàn)RAM具有更快的寫入、更高耐久力和更低功耗等優(yōu)勢。用FRAM取代E²PROM和閃存還具有更多優(yōu)勢，具體如下：

1. 性能提升

FRAM的高速寫入能夠在電源中斷的瞬間備份數(shù)據(jù)。不僅如此，與E2PROM和閃存相比，F(xiàn)RAM能夠更頻繁的記錄數(shù)據(jù)。當(dāng)寫入數(shù)據(jù)時，E2PROM和閃存需要高壓，因此，消費的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM，那么電池供電器件中的電池的壽命將更長。 

總之，F(xiàn)RAM具有下列優(yōu)勢：

●   能夠在電源中斷的瞬間備份數(shù)據(jù)

●   能夠進(jìn)行頻繁的數(shù)據(jù)記錄

●   能夠保證更長的電池壽命

2. 總的成本縮減

在為每個產(chǎn)品寫入出廠參數(shù)時，與E2PROM 和閃存相比，F(xiàn)RAM可以縮減寫入時間。而且，F(xiàn)RAM可以為您提供一種芯片解決方案，避免采用幾個存儲器來保存數(shù)據(jù)，而E2PROM卻不能實現(xiàn)。因此，利用FRAM可以降低總成本！

●   當(dāng)寫入出廠參數(shù)時，縮短了寫入時間

●   減掉了產(chǎn)品上很多的部件

產(chǎn)品列表

串行閃存

I²C接口

與世界標(biāo)準(zhǔn)，I²C BUS完全兼容。利用兩個端口，幾個時鐘（SCL）和串行數(shù)據(jù)（SDA）控制每個函數(shù)。