近日，專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動器和強大的保護功能，可讓設計人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應用。

貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關節(jié)點振鈴，以及可將開關損耗降低多達80%的零反向恢復。此器件的集成式柵極驅(qū)動器支持100 V/ns開關，實現(xiàn)幾乎為零的VDs振鈴，其微調(diào)柵極偏置電壓可通過補償閾值變化確?？煽壳袚Q。此功率級集成了一系列獨特的功能，比如圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 結(jié)構(gòu)等密集高效拓撲，讓設計人員能夠優(yōu)化電源性能并提高可靠性。

LMG341xR050 GaN功率級擁有強大的保護功能，不需要外部保護元件，即可提供過熱保護、瞬態(tài)電壓抗擾性，并且所有電源軌都具有欠壓鎖定 (UVLO) 保護。此外，LMG341xR050還可提供響應時間低于100 ns的過流保護和高于150 V/ns的壓擺率抗擾性。