9月17日，2019中國集成電路設計大會在青島市嶗山區(qū)正式召開， 中科院院士劉明在演講中指出，國內(nèi)的光刻技術(shù)與國外技術(shù)差距仍為15～20年，是集成電路領(lǐng)域中差距最大的環(huán)節(jié)。

劉明談到了國內(nèi)集成電路的幾項基礎(chǔ)技術(shù)。關(guān)于光刻膠技術(shù)，劉明表示，我國在EUV光源、多層膜、掩膜、光刻膠、超光滑拋光技術(shù)等方面取得了一些研究進展。但總的來說，國內(nèi)的光刻技術(shù)與國外技術(shù)差距仍為15～20年，是集成電路領(lǐng)域中差距最大的環(huán)節(jié)。

在邏輯器件方面，劉明指出，國內(nèi)在低功耗新原理邏輯器件的機理、模型、材料、結(jié)構(gòu)和集成技術(shù)上開展了前瞻性研究。國內(nèi)優(yōu)勢企業(yè)、高校和研究所在硅基邏輯器件的成套先導技術(shù)上開展了系統(tǒng)研究，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了技術(shù)知識產(chǎn)權(quán)的幫助。

另外，劉明還表示，中國在新型存儲器前沿和關(guān)鍵技術(shù)等方面均開展了系統(tǒng)研究；學術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界合作緊密，開發(fā)了RRAM、PRAM和MRAM的大規(guī)模集成工藝。

最后，劉明強調(diào)，IC的快速發(fā)展是信息化的核心和基礎(chǔ)，器件持續(xù)微縮的More than Moore路線，我國很難實現(xiàn)超越，但這是創(chuàng)新的基礎(chǔ)，必須夯實，沒有彎道可走。