將ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用
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簡介
本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/201908/403679.htm絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開關(guān)頻率范圍：直流至100 kHz。IGBT可以是單一器件，甚至是半橋器件，如為圖1所示設(shè)計(jì)選擇的。
本應(yīng)用筆記所述設(shè)計(jì)中的APTGT75A120 IGBT是快速溝槽器件，采用Microsemi Corporation?專有的視場光闌IGBT技術(shù)。該IGBT器件還具有低拖尾電流、高達(dá)20 kHz的開關(guān)頻率，以及由于對(duì)稱設(shè)計(jì)，具有低雜散電感的軟恢復(fù)并聯(lián)二極管。選定IGBT模塊的高集成度可在高頻率下提供最優(yōu)性能，并具有較低的結(jié)至外殼熱阻。
使用ADI公司的柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)驅(qū)動(dòng)IGBT。ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器是一款單通道器件，在>25 V的工作電壓下（VDD至VSS），典型驅(qū)動(dòng)能力為7 A源電流和灌電流。該器件具有最小100 kV/μs的共模瞬變抗擾度(CMTI)。ADuM4135可以提供高達(dá)30 V的正向電源，因此，±15 V電源足以滿足此應(yīng)用。
測試設(shè)置
電氣設(shè)置
系統(tǒng)測試電路的電氣設(shè)置如圖2所示。直流電壓施加于半橋兩端的輸入，900 μF (C1)的解耦電容添加到輸入級(jí)。輸出級(jí)為200 μH (L1)和50 μF (C2)的電感電容(LC)濾波器級(jí)，對(duì)輸出進(jìn)行濾波，傳送到2 Ω至30 Ω的負(fù)載(R1)。表1詳述了測試設(shè)置功率器件。U1是用于HV+和HV?的直流電源，T1和T2是單個(gè)IGBT模塊。
完整電氣設(shè)置如圖3所示，表2詳細(xì)列出了測試中使用的設(shè)備。
圖2.系統(tǒng)測試電路的電氣設(shè)置
表1.測試設(shè)置功率器件
表2.完整設(shè)置設(shè)備
圖3.柵極驅(qū)動(dòng)器配電板測試的連接圖
測試結(jié)果
無負(fù)載測試
在無負(fù)載測試設(shè)置中，在模塊輸出端汲取低輸出電流。在此應(yīng)用中，使用一個(gè)30 Ω的電阻。
表3顯示無負(fù)載的電氣測試設(shè)置的重要元件，且負(fù)載內(nèi)的電流低。表4顯示在模塊上觀察到的溫度。表3和表4總結(jié)了所觀察到的結(jié)果。圖5至圖10顯示各種電壓和開關(guān)頻率上的開關(guān)波形的測試結(jié)果。
如表3中所示，測試1和測試2在600 V電壓下執(zhí)行。測試1在10 kHz開關(guān)頻率下執(zhí)行，測試2在20 kHz開關(guān)頻率下執(zhí)行。測試3在900 V電壓下執(zhí)行，開關(guān)頻率為10 kHz。
圖4顯示無負(fù)載測試的電氣設(shè)置。
圖4.無負(fù)載測試的電氣設(shè)置
表3.無負(fù)載測試，對(duì)應(yīng)插圖
1 VDC是HV+和HV?電壓。
2 IIN表示通過U1的輸入電流。
表4.無負(fù)載測試，溫度總結(jié)1
1 所有溫度都通過熱攝像頭記錄。
2 從變壓器測得。
開關(guān)IGBT的性能圖
此部分測試結(jié)果顯示不同目標(biāo)電壓下的開關(guān)波形，其中fSW = 10 kHz和20 kHz。VDS是漏極-源極電壓，VGS是柵極-源極電壓。
圖5.VDC = 600 V，fSW = 10 kHz，無負(fù)載
圖8.VDC = 600 V，fSW = 20 kHz，無負(fù)載
圖6.VDC = 600 V，fSW = 10 kHz，無負(fù)載
圖9.VDC = 900 V，fSW = 10 kHz，無負(fù)載
圖7.VDC = 600 V，fSW = 20 kHz，無負(fù)載
圖10.VDC = 900 V，fSW = 10 kHz，無負(fù)載
負(fù)載測試
測試配置類似于圖2所示的測試設(shè)置。表5總結(jié)了觀察到的結(jié)果，圖11至圖16顯示各種電壓、頻率和負(fù)載下的測試性能和結(jié)果。
測試4在200 V、10 kHz開關(guān)頻率下執(zhí)行，占空比為25%。測試5在600 V、10 kHz開關(guān)頻率下執(zhí)行，占空比為25%。測試6在900 V、10 kHz開關(guān)頻率下執(zhí)行，占空比為25%。
表5.負(fù)載測試
1 IOUT是負(fù)載電阻R1中的輸出電流。
2 VOUT是R1兩端的輸出電壓。
3 POUT是輸出功率(IOUT × VOUT)。
開關(guān)IGBT的性能圖和無負(fù)載測試
此部分測試結(jié)果顯示fSW = 10 kHz和20 kHz的不同目標(biāo)電壓下的開關(guān)波形。
圖11.VDC = 200 V，fSW = 10 kHz，POUT = 90.2 W
圖14.VDC = 600 V，fSW = 10 kHz，POUT = 791.1 W
圖12.VDC = 600 V，fSW = 10 kHz，POUT = 791.1 W
圖15.VDC = 900 V，fSW = 10 kHz，POUT 1669.2 W
圖13.VDC = 200 V，fSW = 10 kHz，POUT = 90.2 W
圖16.VDC = 900 V，fSW = 10 kHz，POUT 1669.2 W
高電流測試
測試配置類似于圖3中所示的物理設(shè)置。表6總結(jié)了觀察到的結(jié)果，圖17至圖20顯示各種電壓、頻率和負(fù)載下的測試性能和結(jié)果。
輸出負(fù)載電阻視各個(gè)測試而異，如表1所示，其中2 Ω到30 Ω負(fù)載用于改變電流。測量VOUT，也就是R1兩端的電壓。
測試7在300 V、10 kHz開關(guān)頻率下執(zhí)行，占空比為25%。測試8在400 V、10 kHz開關(guān)頻率下執(zhí)行，占空比為25%。
表6.高電流測試
1 PIN是輸入電源(IIN × VIN)，其中VIN是直流電源電壓。
開關(guān)IGBT的性能圖和負(fù)載測試
此部分測試結(jié)果顯示fSW = 10 kHz和20 kHz的不同目標(biāo)電壓下的開關(guān)波形。
圖17.VDC = 300 V，fSW = 10 kHz，POUT = 1346.3 W
圖19.VDC = 300 V，fSW = 10 kHz，POUT = 1346.3 W
圖18.VDC = 400 V，fSW = 10 kHz，POUT = 2365.9 W
圖20.VDC = 400 V，fSW = 10 kHz，POUT = 2365.9 W
去飽和測試
系統(tǒng)測試電路的電氣設(shè)置如圖21所示。直流電壓施加于半橋兩端的輸入，900 μF的解耦電容添加到輸入級(jí)。此設(shè)置用于測試去飽和檢測。在此應(yīng)用中，最大IC = 150 A，其中IC是通過T1和T2的電流。
高端開關(guān)IGBT (T1)被83 μH的電感旁路，T1開關(guān)必須關(guān)閉。
低端開關(guān)IGBT (T2)每500 ms被驅(qū)動(dòng)50 μs。
表7詳細(xì)列出了去飽和測試設(shè)置的功率器件。
圖22顯示電感L1中電流135 A時(shí)的開關(guān)動(dòng)作，圖23顯示電感L1中電流139 A時(shí)的去飽和檢測。
表7.功率器件去飽和測試的測試設(shè)置
圖21.系統(tǒng)測試電路的電氣設(shè)置
圖22.VDC < 68 V，fSW = 2 Hz，占空比 = 0.01%
圖23.VDC > 68 V，fSW = 2 Hz，占空比 = 0.01%
應(yīng)用原理圖
圖24.ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器板原理圖
結(jié)論
ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器具有優(yōu)異的電流驅(qū)動(dòng)能力，合適的電源范圍，還有100 kV/μs的強(qiáng)大CMTI能力，在驅(qū)動(dòng)IGBT時(shí)提供優(yōu)良的性能。
本應(yīng)用筆記中的測試結(jié)果提供的數(shù)據(jù)表明，ADuM4135評(píng)估板是驅(qū)動(dòng)IGBT的高壓應(yīng)用的解決方案。
評(píng)論