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        東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存:最早2020年上市

        作者: 時(shí)間:2019-03-08 來源:IT之家 收藏

          根據(jù)外媒的報(bào)道,及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準(zhǔn)備推出更高密度128層3D 閃存。在的命名法中,該芯片將命名為BiCS-5。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/201903/398321.htm

          

          據(jù)介紹,芯片將實(shí)現(xiàn)TLC,而不是更新的QLC。這可能是因?yàn)?a class="contentlabel" href="http://www.antipu.com.cn/news/listbylabel/label/NAND">NAND閃存制造商仍然對(duì)QLC芯片的低產(chǎn)量有擔(dān)心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb,新的128層芯片的容量比96層芯片多33%,可以在2020到2021年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。


          據(jù)報(bào)道,新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報(bào)道,該芯片還采用了CuA(陣列電路),這是一種設(shè)計(jì)創(chuàng)新,節(jié)省了15%的芯片尺寸。



        關(guān)鍵詞: 東芝 西數(shù) NAND

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