圖12 DRAM和NAND競爭格局分析

　　海關數(shù)據顯示，2017年中國進口存儲芯片889億美元，比2016年增長39.6%。DRAM、NAND的寡頭壟斷造成下游客戶毫無議價能力。2017財年，三星、SK海力士、美光三家存儲巨頭的半導體業(yè)務在中國的營收分別為104、254、89億美金，合計達到447億美金，超過中國存儲芯片進口額度的半數(shù)。

　　因此，無論從經濟安全，還是信息安全角度，我國都亟待發(fā)展存儲芯片產業(yè)。

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　　我國存儲芯片市場：短期格局難變

　　作為全球最大的存儲芯片消費市場之一，面對產業(yè)基礎薄弱，自給率極低的窘境，在政府引導和支持下，產業(yè)界全力以赴追趕超越，加快發(fā)展。目前，國內有三大存儲項目：紫光集團與武漢、南京及成都合作展開的NAND與DRAM項目，兆易創(chuàng)新與合肥合作的DRAM項目(合肥長鑫)，聯(lián)電與福建省合作的DRAM項目(福建晉華)。

　　表2 主要存儲芯片企業(yè)分析

　　紫光集團(長江存儲+紫光南京+紫光成都)

　　紫光集團在南京、成都各有一座半導體產業(yè)基地，又與武漢新芯合作成立長江存儲國家存儲芯片基地。南京半導體產業(yè)基地主要生產DRAM以及NAND芯片，成都基地和長江存儲將專注于3D NAND閃存芯片。

　　長江存儲2016年7月成立，由紫光集團、國家集成電路產業(yè)投資基金、湖北集成電路基金、湖北科投聯(lián)合投資240億美元。

　　2016年12月，以長江存儲為主體的國家存儲芯片基地正式開工，建設3座全球單座面積最大的3D NAND Flash廠。項目一期2018年建成投產，實現(xiàn)零的突破，成功進入市場，預計2019年毛利轉正，2020年月產能30萬片，2023年月產能100萬片，年產值達1000 億人民幣。

　　圖13 長江存儲項目重要時間節(jié)點

　　紫光南京/成都半導體產業(yè)基地均由紫光集團投資建設，目前處于建設期，未來產能均為30萬片/月。

　　合肥長鑫

　　合肥長鑫存儲由兆易創(chuàng)新與合肥市產業(yè)投資控股合作，建設19nm、12寸晶圓DRAM芯片項目，預算金額180億元。

　　合肥長鑫2018年一季度已完成設備安裝，一期計劃產能12.5萬片/月，三期全部滿產產能為37.5萬片/月。第一階段主要生產基于19nm平臺的8GB LPDDR4產品，用于智能手機。目前已開始投產，預計2018年底良率可達10%，2019年底良率可達80%左右，實現(xiàn)大規(guī)模量產。

　　圖14 合肥長鑫項目重要時間節(jié)點

　　福建晉華

　　由福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資，與臺灣聯(lián)電展開技術合作，總投資56.5億美元，建設12寸內存晶圓廠生產線，從事利基型DRAM的研發(fā)和生產銷售，產品主要應用于PC及數(shù)據中心，未來瞄準消費電子產品。雖然消費電子的存儲需求步入存量博弈階段，但市場規(guī)模依舊龐大。

　　該項目共4期，每期設計產能6萬片/月，總計24萬片/月。預計4期滿產總產值500億人民幣。規(guī)劃第一階段提供25nm 4GB DDR4/DDR3產品，爭取2018年研發(fā)成功，后續(xù)繼續(xù)研發(fā)1xnm產品。此次美國禁售，原計劃很大可能將會推遲。

　　圖15 福建晉華項目重要時間節(jié)點

　　圖16 中國大陸主要半導體制造產線分布圖

　　從上述規(guī)劃看，我國廠商仍處于起步階段，存儲芯片研發(fā)、良品率、成本控制等能否達到預期，還有一定的不確定性，產能釋放將是一個緩慢的過程。從產能規(guī)劃看，國產存儲芯片市占率短期內將維持較低水平，2-3年內難以超過1%，2020年后有望得到較大提升。

　　從存儲芯片產業(yè)的專利分布、申請趨勢以及產業(yè)鏈環(huán)節(jié)的深入分析看，我們清晰的看到自身技術積累的薄弱，在人才儲備、產能規(guī)模、企業(yè)體量與國際巨頭還有顯著的差距。雖然晉華事件走向何方還不明朗，但我國發(fā)展集成電路產業(yè)的決心只會更加堅定。面臨挑戰(zhàn)，我們必須著眼于產業(yè)生態(tài)打造，進一步整合資源，完善產業(yè)鏈布局，同時加大力度布局前瞻性技術研發(fā)，尋找技術變革帶來的新發(fā)展機遇?？上驳氖牵?0月26日，中國存儲芯片產業(yè)聯(lián)盟在武漢成立，行業(yè)抱團取暖，團結就是力量。雖然產業(yè)發(fā)展道阻且長，但是我們別無選擇。