MOSFET管并聯(lián)應用時電流分配不均問題探究
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圖2是以IRFP064為例，根據(jù)式(6)～(9)計算出的漏極電流不均勻度A與導通電阻均勻度B間的關(guān)系曲線(以n為參變量)，可得出如下結(jié)論：(1) 并聯(lián)器件數(shù)n相同的每一組曲線，漏極電流不均勻度A隨自主補償系數(shù)M的增大而下降；(2)并聯(lián)器件數(shù)n相同的每一組曲線，兩條曲線間的差距隨n的增大而增大；(3)并聯(lián)器件數(shù)n相同的每組曲線，隨n的減小而降低；(4)并聯(lián)器件的靜態(tài)電流不匹配度A有最大值，即A=B。所以，降低并聯(lián)器件的電流不匹配度的最有效方法就是提高并聯(lián)器件導通電阻的匹配程度。本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/201809/388958.htm
3 閾值電壓UT對動態(tài)電流分配的影響
動態(tài)電流分配不均是指由于器件本身參數(shù)失配而使各并聯(lián)支路在開關(guān)過程中電流大小不一致的現(xiàn)象。原因很多，這里以圖3為例分析閾值電壓UT引起的電流分配不勻現(xiàn)象。
3．1 VT1、VT2均未導通時的柵極電壓，0→t1時段，iD1=iD2=0
柵極驅(qū)動信號由負半周進人正半周后，信號源Ug向兩管的柵極電容Cgs充電，即：
3．2 僅VT1管導通時的柵極電壓，t1~t2時段
在t1～t2時間段內(nèi)，iD1>0，iD2=0。對其整理，得到二階微分方程組：
式中，變量系數(shù)的數(shù)量級為A≈10－8,B≈10－5,C≈－10－13。下面分析中認為B>>A>>C。考慮t1～t2時間段變量x的初始條件，t=0時(即上一階段t=t1時)；x=UT1；并選擇x'=0，并考慮微分方程中變量系數(shù)的數(shù)量級關(guān)系，得此微分方程組的解為：
3．3 兩管均導通時的柵極電壓，時段t2~∞
在t2～∞時間段內(nèi)，iD1>0，iD2>0根據(jù)圖3，可整理得出二階微分方程組為：
式中，C=2RgCgdgm(L0+LS)，同上述略有差異，但這種差異對結(jié)果影響甚微，予以忽略。
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