在光耦可控硅控制當(dāng)中，電阻是非常重要的器件。但很多新手在接觸光耦可控硅當(dāng)中的電阻時(shí)，都會(huì)遇到這樣那樣的問題。本文就將以一款光耦可控硅為例，為大家分析其中的電阻問題，感興趣的朋友快來看一看吧。

圖1

如圖1所示，在光耦可控硅驅(qū)動(dòng)可控硅時(shí)，這個(gè)電阻的作用是什么呢?。通常來說，雙向可控硅的觸發(fā)有4種情況：

T2(或稱陽極)+ T1(或稱陰極)- G(或稱觸發(fā)極)+;

T2(或稱陽極)+ T1(或稱陰極)- G(或稱觸發(fā)極)-;

T2(或稱陽極)- T1(或稱陰極)+ G(或稱觸發(fā)極)+;

T2(或稱陽極)- T1(或稱陰極)+ G(或稱觸發(fā)極)-;

也就是說，無論雙向可控硅兩端是交流電的正半軸，還是負(fù)半周，觸發(fā)極都可以通過高和低兩種情況進(jìn)行觸發(fā)，根據(jù)這條原理，圖1中在MOC3041關(guān)斷時(shí)，如果遇到T2(或稱陽極)-T1(或稱陰極)+正好滿足G(或稱觸發(fā)極)+的話，那么可控硅不是又觸發(fā)了嗎?

這是否意味著當(dāng)MOC3041不工作時(shí)，雙向可控硅會(huì)在負(fù)半周繼續(xù)工作，相當(dāng)于單向可控硅的功能?

實(shí)際上，G的觸發(fā)極性是相對(duì)于T1來說的。當(dāng)3041關(guān)斷時(shí)，其微小的漏電流被并聯(lián)在G和T1間的電阻所旁路，使得其上面的電壓很低----近似等于0，遠(yuǎn)小于觸發(fā)所需的電壓。所以根本不會(huì)發(fā)生觸發(fā)，不管是正半周還是負(fù)半周。

當(dāng)交流負(fù)半周 即T1+T2-時(shí)，G極和T1等電位，不高于T1，也不會(huì)低于T1(在3041關(guān)斷時(shí))，所以不會(huì)出現(xiàn)負(fù)半周工作的情況。而這個(gè)電阻旁路掉3041的漏電流，可以很好的關(guān)斷可控硅。

通過以上的介紹可以看到，圖1中的電阻能夠非常順利的對(duì)漏電流進(jìn)行屏蔽，并達(dá)到關(guān)斷可控硅的目的。當(dāng)然，這種分析只是對(duì)光耦可控硅電阻使用過程中眾多使用方法中的其中一種。還有很多情況是文中未涉及到的，需要大家通過設(shè)計(jì)來積累經(jīng)驗(yàn)。